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资料编号:137764
 
资料名称:AP9435K
 
文件大小: 73.79K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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AP9435K
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 输出 特性
图 3. 在-阻抗 v.s. 门 电压 图 4. normalized 在-阻抗
v.s. 接合面 温度
图 5. 向前 典型的 的 图 6. 门 门槛 电压 v.s.
反转 二极管
接合面 温度
0
5
10
15
20
25
30
012345
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=25
o
C
-10v
-8.0v
-6.0v
-5.0v
V
G
=-4.0v
0
5
10
15
20
25
30
01234567
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=150
o
C
-10v
-8.0v
-6.0v
-5.0v
V
G
=-4.0v
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5
-v
SD
, 源-至-流 电压 (v)
-i
S
(一个)
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
0
1
2
3
4
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c)
V
gs(th)
(v)
30
40
50
60
70
80
90
100
110
34567891011
-v
GS
, 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在)
(m
Ω
Ω
Ω
Ω
)
I
D
=5.3a
T
一个
=25
℃℃
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized r
ds(在)
V
G
=10V
I
D
=-5.3a
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