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资料编号:138336
 
资料名称:APM4220
 
文件大小: 125.31K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.1 - 8月., 2002
APM4220
www.anpec.com.tw
2
标识 参数 比率 单位
T
一个
=25
°
C
2.5
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=100
°
C
1.0
W
T
J
最大 接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 150
°
C
R
θ
JA
*
热的 阻抗 – 接合面 至 包围的 50
°
c/w
APM4220
标识 参数 测试 情况
最小值
典型值 最大值
单位
静态的
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
25
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
=20v , v
GS
=0V

1
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1 1.5 2
V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=±20v, v
DS
=0V

±
100
nA
V
GS
=10v, i
DS
=14A
7.5 9
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v,i
DS
=8A
10 12
m
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
S
=16a, v
GS
=0V
0.7 1.2
V
动态
b
Q
g
总的 门 承担
16 20
Q
gs
门-源 承担
6
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, i
DS
=14A
V
GS
=4.5v,
6
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 time
10 15
T
r
转变-在 上升 时间
7 13
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
35 50
T
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v, i
DS
=1a,
V
GEN
=10v,r
G
=6
,
10 20
ns
C
iss
输入 电容
1785
C
oss
输出 电容
605
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
Fre
quency=1.0mhz
490
pF
注释
一个
: 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试
b
: 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2
%
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
绝对 最大 比率 (内容.)
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
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