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资料编号:138340
 
资料名称:APM4410
 
文件大小: 514.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.5 - july., 2002
APM4410
www.anpec.com.tw
3
典型 特性
0246810
0
10
20
30
40
50
输出 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
I
DS
-流 电流 (一个)
V
GS
=5,6,7,8,9,10v
V
GS
=3V
V
GS
=4V
012345
0
10
20
30
40
50
转移 特性
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
I
DS
-流 电流 (一个)
T
J
=125
°
C
T
J
=25
°
C
T
J
=-55
°
C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
门槛 电压 vs. 接合面 温度
T
j
-接合面 温度 (
°
c)
I
DS
=250
µ
一个
0 5 10 15 20 25 30 35
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
在-阻抗 vs. 流 电流
I
DS
-流 电流 (一个)
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
V
gs(th)-
门槛 电压 (v)
(normalized)
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