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资料编号:138342
 
资料名称:APM4410KC-TR
 
文件大小: 514.2K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.5 - july., 2002
APM4410
www.anpec.com.tw
5
典型 特性 内容.
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1
10
50
源-流 二极管 向前 电压
I
SD
-源 电流 (一个)
V
SD
-源 至 流 电压
T
J
=25
°
C
T
J
=150
°
C
0.01 0.1 1 10
0
20
40
60
80
时间 (秒)
单独的 脉冲波 电源
电源 (w)
1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环 , d=t1/t2
2. 每 单位 根基=r
thJA
=50
°
c/w
3. t
JM
-t
一个
=P
DM
Z
thJA
4. 表面 挂载
d=0.02
d=0.05
d=0.1
d=0.2
职责 循环=0.5
单独的 脉冲波
normalized 瞬时 热的 瞬时 impedence, 接合面 至 包围的
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