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资料编号:138375
资料名称:
APM3054NDC-TR
文件大小: 213.49K
说明
:
介绍
:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.2 - 8月., 2002
APM3054N
www.anpec.com.tw
2
APM3054N
标识
参数
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
静态的
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
30
V
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
=24v, v
GS
=0V
1
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
13V
I
GSS
门 泄漏 电流
V
GS
=
±
20v, v
DS
=0V
±
100
nA
V
GS
=10v, i
DS
=12A
48
54
R
ds(在)
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
=4.5v, i
DS
=6A
75
90
m
Ω
V
SD
二极管 向前 电压
I
SD
=8a, v
GS
=0V
0.6
1.3
V
动态
Q
g
总的 门 承担
9
Q
gs
门-源 承担
5.4
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=5v,
I
DS
=10A
2.4
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
11
t
r
转变-在 上升 时间
17
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
37
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
=15v,i
D
=2a,
V
GS
=10v, r
G
=6
Ω
20
ns
C
iss
输入 电容
400
C
oss
输出 电容
75
C
rss
反转 转移
V
GS
=0V
V
DS
=25V
频率=1.0mhz
45
pF
绝对 最大 比率 (内容.)
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
标识
参数
比率
单位
I
SM
二极管 最大 脉冲波 电流
32
一个
至-252
62.5
T
一个
=25°C
sot-223
3
W
至-252
25
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=100°C
sot-223
1.2
W
T
J
最大 接合面 温度
150
°C
T
STG
存储 温度 范围
-55 至 150
°C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
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