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资料编号:138555
 
资料名称:APT10025JVR
 
文件大小: 71.15K
   
说明
 
介绍:
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特) V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特)
图示 10, 最大 safe 运行 范围 图示 11, 典型 电容 vs 流-至-源 电压
Q
g
, 总的 门 承担 (nc) V
SD
, 源-至-流 电压 (伏特)
图示 12, 门 charges vs 门-至-源 电压 图示 13, 典型 源-流 二极管 向前 电压
V
GS
, 门-至-源 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (amperes)
I
DR
, 反转 流 电流 (amperes) c, 电容 (pf)
APT10025JVR
050-5580 rev 一个
apt's 设备 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s.专利权: 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058
sot-227 (isotop
®
) 包装 外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
维度 在 毫米 和 (英寸)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
十六进制 nut m4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* 源
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
w=4.1 (.161)
w=4.3 (.169)
h=4.8 (.187)
h=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* 源
源 terminals 是 短接
内部. 电流 处理
能力 是 equal 为 也
源 终端.
ISOTOP
®
是 一个 注册 商标 的 sgs thomson.
1 5 10 50 100 500 1000 .01 .1 1 10 50
0 250 500 750 1000 1250 1500 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T
C
=+25
°
C
T
J
=+150
°
C
单独的 脉冲波
200
100
50
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
60,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
5
1
运作 here
限制 用 r
DS
(在)
T
J
=+150
°
C T
J
=+25
°
C
V
DS
=500V
V
DS
=200V
V
DS
=100V
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
= i
D
[cont.]
10
µ
S
1mS
10mS
100mS
直流
100
µ
S
"ul 公认的" 文件 非. e145592
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