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资料编号:138628
 
资料名称:APT1001RBN
 
文件大小: 50.79K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
 
 


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V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特) V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特)
图示 10, 最大 safe 运行 范围 图示 11, 典型 电容 vs 流-至-源 电压
Q
g
, 总的 门 承担 (nc) V
SD
, 源-至-流 电压 (伏特)
图示 12, 门 charges vs 门-至-源 电压 图示 13, 典型 源-流 二极管 向前 电压
V
GS
, 门-至-源 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (amperes)
I
DR
, 反转 流 电流 (amperes) c, 电容 (pf)
至-247ad 包装 外形
050-0008 rev b
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) bsc
4.50 (.177) 最大值
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) bsc
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
维度 在 毫米 和 (英寸)
2-plcs.
0 .5 1.0 1.5 2.0
0 10 20 30 40 50
1 5 10 50 100 1000
0 40 80 120 160 200
T
C
=+25
°
C
T
J
=+150
°
C
单独的 脉冲波
60
10
1
.1
10,000
1,000
100
10
100
50
20
10
5
2
1
20
16
12
8
4
0
运作 here
限制 用 r
DS
(在)
10
µ
S
1mS
10mS
100mS
直流
100
µ
S
APT901RBN
APT1001RBN
C
iss
C
oss
C
rss
T
J
= +150
°
C T
J
= +25
°
C
V
DS
=200V
V
DS
=100V
V
DS
=500V
APT1001RBN
I
D
= i
D
[cont.]
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