57
1
2
3
4
8
7
6
5
gu (一般 使用) 类型
[2-频道 (表格 一个) type]
mminch
6.4
.252
9.78
.385
3.9
±
0.2
.154
±
.008
9.78
.385
6.4
.252
3.6
±
0.2
.142
±
.008
特性
1. 紧凑的 8-管脚 插件 大小
这 设备 comes 在 一个 紧凑的 (w) 6.4
×
(l) 9.78
×
(h) 3.9 mm(w) .252
×
(l)
.385
×
(h) .154 inch,8-管脚 插件 大小
(通过 孔 终端 类型).
2. 适用 为 2 表格 一个 使用 作 好
作 二 独立 1 表格 一个 使用
3. 控制 低-水平的 相似物 信号
photomos 接转 特性 极其 低
关闭-电路 补偿 电压 至 使能
控制 的 低-水平的 相似物 信号 没有
扭曲量.
4. 高 敏锐的, 高 速 re-
sponse
能 控制 一个 最大 0.13 一个 加载 cur-
rent 和 一个 5 毫安 输入 电流. 快 oper-
ation 速 的 310
µ
s (典型). (aqw214)
5. 低-水平的 止 状态 泄漏 电流
这 ssr 有 一个 止 状态 泄漏 电流
的 一些 milliamperes whereas 这 pho-
tomos 接转 有 仅有的 100 pa 甚至 和
这 评估 加载 电压 的 400 v
(aqw214).
6. 低-水平的 热的 electromotive
强迫 (approx. 1
µ
v)
7. 排除 这 需要 为 一个 计数器
electromotive 强迫 保护 二极管 在
这 驱动 电路 在 这 输入 一侧
8. 稳固的 在 阻抗.
9. 排除 这 需要 为 一个 电源 sup-
ply 至 驱动 这 电源 场效应晶体管
典型 产品
• 高-速 inspection machines
• telephones 设备
• 计算机
类型
1. 交流/直流 类型
*indicate 这 顶峰 交流 和 直流 值.
便条: 为 空间 reasons, 这 包装 类型 指示信号 "x" 和 "z" 是 omitted 从 这 seal.
输出 rating*
部分 非.
包装 quantity
通过 孔
终端
表面-挂载 终端
加载 电压 加载 电流 tube 包装 样式 录音带 和 卷轴 包装 样式 Tube 录音带 和 卷轴
60V 350 毫安 AQW212 AQW212A AQW212AX AQW212AZ
1 tube 包含
40 pcs.
1 批 包含
400 pcs.
1,000 pcs.
100 v 300 毫安 AQW215 AQW215A AQW215AX AQW215AZ
200 v 160 毫安 AQW217 AQW217A AQW217AX AQW217AZ
350 v 120 毫安 AQW210 AQW210A AQW210AX AQW210AZ
400 v 100 毫安 AQW214 AQW214A AQW214AX AQW214AZ
600 v 40 毫安 AQW216 AQW216A AQW216AX AQW216AZ
比率
1. 交流/直流 类型
1. 绝对 最大 比率 (包围的 温度: 25
°
C77
°
F)
Item 标识
aqw212(一个) aqw215(一个) aqw217(一个) aqw210(一个) aqw214(一个) aqw216(一个)
Remarks
输入
led 向前 电流 I
F
50 毫安
led 反转 电压 V
R
3 v
顶峰 向前 电流 I
FP
1 一个
f = 100 hz,
职责 因素 = 0.1%
电源 消耗 P
在
75 mw
输出
加载 电压
(顶峰 交流)
V
L
60 v 100 v 200 v 350 v 400 v 600 v
持续的 加载
电流
I
L
0.35 一个
(0.40a)
0.30 一个
(0.35 一个)
0.16 一个
(0.2 一个)
0.12 一个
(0.14 一个)
0.10 一个
(0.13 一个)
0.04 一个
(0.05 一个)
( ): 在 情况 的 使用 仅有的 1 频道
一个 连接: 顶峰 交流, 直流
顶峰 加载 电流 I
顶峰
1.0 一个 0.9 一个 0.48 一个 0.36 一个 0.3 一个 0.12 一个
一个 连接: 100 ms (1 shot),
V
L
= 直流
电源 消耗 P
输出
800 mw
总的 电源 消耗 P
T
850 mw
i/o 分开 电压 V
iso
1,500 v 交流
在 输入 和 输出/
在 联系 sets
温度
限制
运行 T
opr
–40
°
c 至 +85
°
C–40
°
f 至 +185
°
F
非-condensing 在 低
温度
存储 T
stg
–40
°
c 至 +100
°
C–40
°
f 至 +212
°
F
PhotoMOS
接转
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