phemt gaas ic 高 线性 3 v 控制 spdt 转变 0.1–2.5 ghz as193-73
2
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规格 主题 至 改变 没有 注意. 6/01a
C
BL
C
BL
V
1
J
1
V
2
J
2
地
J
3
C
BL
12 3
65 4
管脚 输出
V
1
V
2
J
1
–J
2
J
1
–J
3
0V
高
分开 嵌入 丧失
V
高
0 嵌入 丧失 分开
真实 表格
V
高
= +2.5 至 +5 v.
直流 blocking 电容 (c
BL
) 必须 是 有提供的 externally.
C
BL
= 100 pf 为 运行 频率 >500 mhz.
嵌入 丧失 vs. 频率
嵌入 丧失 (db)
频率 (ghz)
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
IL
分开 vs. 频率
分开 (db)
频率 (ghz)
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
vswr vs. 频率
vswr (db)
频率 (ghz)
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
as193-73 和声学 vs. 控制 电压
P
在
= 34.5 dbm, 900 mhz, gsm 搏动
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CTRL
(v)
H
2
, h
3
(dbc)
H
2
H
3
典型 效能 数据
典型的 值
rf 输入 电源 6 w 最大值 > 900 mhz,
0/+5 v 控制
控制 电压 -0.2 v, +8 v
运行 温度 -40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 -65
°
c 至 +150
°
C
Θ
JC
25
°
c/w
绝对 最大 比率
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