AS2214
primary 一侧 pwm 控制
astec 半导体
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电的 特性
(内容’d)
电的 特性 是 有保证的 在 全部 接合面 温度 范围 (0 至 105
°
c). 包围的 温度 必须 是 derated
为基础 在 电源 消耗 和 包装 热的 特性. 除非 否则 指定, 这 情况 的 测试 是 v
CC
= 15 v;
bok = 3 v; ov = 0v; r
T
= 680
Ω
; c
T
= 10 nf. 至 override uvlo, v
CC
应当 是 raised 在之上 18 v 较早的 至 测试.
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
5 v 调整器
输出 电压 V
REG
I
REG
= 1 毫安, t
J
= 25
°
C 4.90 5.00 5.10 V
线条 规章制度 PSRR 12
≤
V
CC
≤
18 v 5 15 mV
加载 规章制度 1
≤
I
REG
≤
20mA 5 15 mV
温度 稳固 TC
REG
0.2 0.4 mv/
°
C
总的 输出 变化 线条, 加载,温度 4.85 5.15 V
长-期 稳固 在 1,000 hrs 在 25
°
C525mV
输出 噪音 电压 V
噪音
10
≤
f
≤
100khz, t
J
= 25
°
C50
µ
V
最大 源 电流 I
最大值
V
REG
= 4.8 v 30 120 180 毫安
振荡器
最初的 精度 F
OSC
T
J
=25
°
C 108 120 132 kHz
电压 稳固 12
≤
V
CC
≤
18 v 0.2 1 %
温度 稳固 TC
F
T
最小值
≤
T
J
≤
T
最大值
5%
振幅 V
OSC
vrt/ct 顶峰-至-顶峰 1.55 V
upper trip 要点 V
H
2.80 V
更小的 trip 要点 V
L
1.25 V
释放 电流 I
DSC
7.50 8.70 9.50 毫安
职责 循环 限制 R
T
=680
Ω
, c
T
=10nf, t
J
=25
°
C465054%
在-温度 关闭 T
OT
140
°
C
软 开始 比较器
ss 承担 电流 I
SS
V
SS
≤
V
RAMP
-4 -6 -10
µ
一个
ss 释放 电流 I
Dsc
SS V
SS
= 1 v, v
OV
> 2.5v 2 8 毫安
ss 更小的 clamp V
ss 低
0.6 V
ramp 高 水平的 V
RAMPH
T
J
=25
°
C 2.15 V
ramp 低 水平的 V
RAMPL
T
J
=25
°
C 0.6 V
ramp 水平 tc 便条: ramp wavefrom 是 这 一样 作 -2 mv/
°
C
这 rt/ct wavefrom, 但是 水平的 shifted
向下 一个 二极管 漏出
ramp 下沉 电流 I
RAMPL
T
J
=25
°
C – 0.1 – 0.2 毫安
ramp 源 电流 I
RAMPH
T
J
=25
°
C1mA
传播 延迟 至 输出 t
铅
85 150 ns
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