AS23xx
secondary 一侧 housekeeping 电路
astec 半导体
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电的 特性
(内容’d)
电的 特性 是 有保证的 在 全部 接合面 温度 范围 (0 至 105
°
c). 包围的 温度 必须 是 derated
为基础 在 电源 消耗 和 包装 热的 特性. 除非 否则 指定, 这 情况 的 测试 是 v
CC
= 12 v;
+3.3 v = 3.3 v; +5 v = 5v; +12 v = 12 v; –12 v = –12 v; – 5 v = – 5 v.
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
–5 v (不 有 在 as2333)
–5 v 欠压 UV – 3.80 – 4.00 – 4.20 V
–5 v 超（电）压 OV – 6.00 – 6.25 – 6.55 V
–5 v 输入 电流 I
B
V
-5
=-5.0v –80 –150
µ
一个
–5 v 使不能运转 电压 V
D
最小 电压 至 使不能运转 2.3 2.4 V
–12 v
–12 v 欠压 UV –9.20 –9.55 –9.80 V
–12 v 超（电）压 OV –14.55 –15.04 –15.60 V
–12 v 输入 电流 I
B
V
-12
=-12.0v – 100 –200
µ
一个
–12 v 使不能运转 电压 V
D
最小 电压 至 使不能运转 2.0 2.2 V
交流/hyst
交流 欠压 UV T
J
= 25
°
C 2.460 2.520 2.540 V
交流 输入 电流 I
B
– 0.5 –1
µ
一个
hyst 高 状态 泄漏 I
L
V
HYST
= 5 v; 交流 > 2.5 v 0.01 1
µ
一个
hyst 输出 电流 I
OL
V
HYST
= 0.3 v; 交流 < 2.5 v 1 3 毫安
hyst 低 电压 V
OL
I
HYST
= 1 毫安; 交流 < 2.5 v 0.3 V
输出
pok 高 状态 泄漏 I
L
V
POK
= 12 v; 非 faults 100 200
µ
一个
pok 输出 电流 I
OL
V
POK
= 0.4 v; v
CC
= 7 v 欠压 5 10 毫安
情况
故障 高 状态 泄漏 I
L
V
故障
= 12 v; 止 = 高 0.01 1
µ
一个
故障 输出 电流 V
OL
V
故障
= 0.4 v; 非 faults
V
CC
= 12 v 3 10 毫安
V
CC
= 5 v 1.3 4 毫安
cbd (crow 柱状 驱动) I
OH
超（电）压 情况 – 25 –35 毫安
最小 输出 电流
cbd 输出 高 电压 V
OH
I
CBD
= 0 毫安; t = 25
°
C 2.0 2.5 3.0 V
I
CBD
= 0 毫安; t = 105
°
c; 超（电）压 1.4 3.3 V
情况
cbd pulldown 阻抗 R
输出
I
CBD
= 1 毫安; 非 faults 300 500 1000 1000
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