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资料编号:140967
 
资料名称:AS7C1025-15JC
 
文件大小: 196.16K
   
说明
 
介绍:
5V/3.3V 128K x8 CMOS SRAM (Revolutionary pinout)
 
 


: 点此下载
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®
AS7C1025
AS7C31025
3/23/01; v.1.0
alliance 半导体
p. 6 的 9
数据 保持 特性 (在 这 运行 范围)
13
数据 保持 波形
交流 测试 情况
注释
1during v
CC
电源-向上, 一个 拉-向上 电阻 至 v
CC
在 ce是 必需的 至 满足 i
SB
规格.
2 这个 参数 是 抽样, 但是 不 100% 测试.
3 为 测试 情况, 看
交流 测试 情况
, 计算数量 一个, b, 和 c.
4t
CLZ
和 t
CHZ
是 指定 和 cl = 5pf, 作 在 图示 c. 转变 是 量过的
±
500mv 从 稳步的-状态 电压.
5 这个 参数 是 有保证的, 但是 不 100% 测试.
6WE
是 高 为 读 循环.
7CE
和 oe是 低 为 读 循环.
8 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce
转变 低.
9 所有 读 循环 timings 是 关联 从 这 last 有效的 地址 至 这 第一 transitioning 地址.
10 CE
或者 我们 必须 是 高 在 地址 transitions. 也 ce 或者 我们asserting 高 terminates 一个 写 循环.
11 所有 写 循环 timings 是 关联 从 这 last 有效的 地址 至 这 第一 transitioning 地址.
12 na.
13 2v 数据 保持 应用 至 商业的 温度 运行 范围 仅有的.
14 c=30pf, 除了 所有 高 z 和 低 z 参数, 在哪里 c=5pf.
参数 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
CC
为 数据 保持 V
DR
V
CC
= 2.0v
CE
V
CC
– 0.2v
V
V
CC
– 0.2v
或者
V
0.2v
2.0 V
数据 保持 电流 I
CCDR
–500µA
碎片 使能 至 数据 保持 时间 t
CDR
0–ns
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
–ns
输入 泄漏 电流
|
I
LI
|
–1µA
V
CC
CE
t
R
t
CDR
数据 保持 模式
V
CC
V
CC
V
DR
2.0v
V
IH
V
IH
V
DR
255W
5v 输出 加载: 看 图示 b 或者 图示 c.
输入 脉冲波 水平的: 地 至 3.0v. 看 图示 一个.
输入 上升 和 下降 时间: 2 ns. 看 图示 一个.
输入 和 输出 定时 涉及 水平: 1.5v.
c(14)
320W
D
输出
+3.3v
168W
thevenin 相等的:
D
输出
+1.728v (5v 和 3.3v)
图示 c: 3.3v 输出 加载
255W
c(14)
480W
D
输出
+5V
图示 b: 5v 输出 加载
10%
90%
10%
90%
+3.0v
图示 一个: 输入 脉冲波
2 ns
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