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alliance 半导体
11/29/00
AS7C1024
AS7C31024
函数的 描述
这 as7c1024 和 as7c31024 是 高 效能 cmos 1,048,576-位 静态的 随机的 进入 记忆 (sram) 设备
有组织的 作 131,072 words × 8 位. 它 是 设计 为 记忆 产品 在哪里 快 数据 进入, 低 电源, 和 简单的
接合 是 desired.
equal 地址 进入 和 循环 时间 (t
AA
, t
RC
, t
WC
) 的 10/12/15/20 ns 和 输出 使能 进入 时间 (t
OE
) 的 5/6/8/10 ns
是 完美的 为 高 效能 产品. 起作用的 高 和 低 chip 使能 (ce1
, ce2) 准许 容易 记忆 expansion 和
多样的-bank 系统.
当 ce1
是 高 或者 ce2 是 低 这 设备 enter 备用物品 模式. 如果 输入是 安静的 toggling, 这 设备 将 consume i
SB
电源.
如果 这 总线 是 静态的, 然后 全部 备用物品 电源 是 reached (i
SB1
或者 i
SB2
). 为 例子, 这 as7c31024 是 有保证的 不 至 超过
0.33mw 下面 名义上的 全部 备用物品 情况. 所有 设备 在 这个 家族 将 retain 数据 当 vcc 是 减少 作 低 作 2.0v.
一个 写 循环 是 accomplished 用 asserting 写 使能 (我们
) 和 两个都 碎片 使能 (ce1, ce2). 数据 在 这 输入 管脚 i/o0-
i/o7 是 写 在 这 rising 边缘 的 我们
(写 循环 1) 或者 这 起作用的-至-inactive 边缘 的 ce1或者 ce2 (写 循环 2). 至 避免
总线 contention, 外部 设备 应当 驱动 i/o 管脚 仅有的 之后 输出 有 被 无能 和 输出 使能 (OE
) 或者 写
使能 (我们
).
一个 读 循环 是 accomplished 用 asserting 输出 使能 (oe
) 和 两个都 碎片 使能 (ce1, ce2), 和 写 使能 (我们) 高.
这 碎片 驱动 i/o 管脚 和 这 数据 文字 关联 用 这 输入 地址. 当 也 碎片 使能 是 inactive, 输出
使能 是 inactive, 或者 写 使能 是 起作用的, 输出 驱动器 停留 在 高-阻抗 模式.
绝对 最大 比率
便条: 压力 更好 比 那些 列表 下面
绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 外部 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 specificati 在 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
真实 表格
关键: x = don’t 小心, l = 低, h = 高
参数 标识 最小值 最大值 单位
Volt一个geonV
CC
相关的 至 地
AS7C1024 V
t1
–0.50 +7.0 V
AS7C31024 V
t1
-0.50 +5.0 V
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地 V
t2
–0.50 V
CC
+0.50 V
电源 消耗 P
D
–1.0w
存储 温度erature (塑料) T
stg
–65 +150
°
C
包围的 温度 和 v
CC
应用 T
偏差
–55 +125
°
C
直流 电流 在 输出 (低) I
输出
–20mA
CE1
CE2
我们 OE
数据 模式
HXXX 高 z 备用物品 (i
SB
, i
SB1
)
X L X X 高 z 备用物品 (i
SB
, i
SB1
)
L H H H 高 z 输出 使不能运转 (i
CC
)
LHHL D
输出
读 (i
CC
)
LHLX D
在
写 (
ICC
)
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