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v 2.00
电压 能变的 absorptive attenuator, 35 db 在-109
绝对 最大比率
1
函数的Sch e m 一个 t i c
1. 运作 的 这个 设备 abo ve 任何 一个 的 这些 参数 毫安y
导致 永久的 损坏.
典型 效能
V
CC
= +5 vdc ±0.5 vdc @ 50 µa 最大值
V
C
= 0 vdc 至 +5 vdc  @ 50 µa 最大值
外部 直流 blocking 电容 是 必需的 在 所有 rf 端口.
参数 绝对 最大
最大 输入 电源 +21 dbm
供应 电压 v
CC
-1 v, +8 v
控制 电压 v
CC
-1 v, V
CC
+ 0.5 v
运行 温度 -40°c 至 +85°c
存储 温度 -65°c 至 +150°c
ATTENUATIONvs 控制 电压
@ +25°c, f = 1800 mhz
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
5 4 3 2 1 0
控制 voltage (伏特)
相关的 attenuATIONvs 控制 电压
@ +25°c, f = 900 mhz
0
-10
-20
-30
-40
5 4 3 2 1 0
控制 voltage (伏特)
嵌入 丧失vs 频率
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0
频率 (ghz)
ATTENUATIONvs 温度,
normalized 至 +25°c, f = 900 mhz
3.5
2.5
1.5
0.5
-0.5
-1.5
5 4 3 2 1 0
控制 voltage (伏特)
-40°c
+85°C

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v 2.00 电压能变的 absorptive attenuator, 35 db 在-109 绝对最大比率 1 函数的Sch e m 一个 t i c 1. 运作的这个设备 abo ve 任何一个的这些参数毫安y 导致永久的损坏. 典型效能 V CC = +5 vdc ±0.5 vdc @ 50 µa 最大值 V C = 0 vdc 至 +5 vdc @ 50 µa 最大值外部直流 blocking 电容是必需的在所有 rf 端口. 参数绝对最大最大输入电源 +21 dbm 供应电压 v CC -1 v, +8 v 控制电压 v CC -1 v, V CC + 0.5 v 运行温度 -40°c 至 +85°c 存储温度 -65°c 至 +150°c ATTENUATIONvs 控制电压 @ +25°c, f = 1800 mhz 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 5 4 3 2 1 0 控制 voltage (伏特) 相关的 attenuATIONvs 控制电压 @ +25°c, f = 900 mhz 0 -10 -20 -30 -40 5 4 3 2 1 0 控制 voltage (伏特) 嵌入丧失vs 频率 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 频率 (ghz) ATTENUATIONvs 温度, normalized 至 +25°c, f = 900 mhz 3.5 2.5 1.5 0.5 -0.5 -1.5 5 4 3 2 1 0 控制 voltage (伏特) -40°c +85°C

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