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资料编号:142281
 
资料名称:AT-32033-TR1
 
文件大小: 125.07K
   
说明
 
介绍:
Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
 
 


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4-56
ga (dbm)
-50
0
温度 (°c)
50
25
10
5
0 100
15
20
0
2.5
1.0
0.5
1.5
2.0
噪音 图示 (db)
Ga
NF
ga (dbm)
-50
0
温度 (°c)
50
25
10
5
0 100
15
20
0
2.5
1.0
0.5
1.5
2.0
噪音 图示 (db)
Ga
NF
ip3 (dbm)
0
0
频率 (mhz)
1.0 1.5
25
10
5
0.5 2.5
15
2.0
20
2 毫安
5 毫安
10 毫安
20 毫安
图示 14. 在-32011 噪音 图示 和
有关联的 增益 在 v
CE
␣= 2.7 v,
I
C
=␣ 2␣ 毫安 vs. 温度 在 测试
电路, 图示 1. (电路 losses
de-embedded).
图示 15. 在-32033 噪音 图示 和
有关联的 增益 在 v
CE
␣= 2.7 v,
I
C
=␣ 2␣ 毫安 vs. 温度 在 测试
电路, 图示 1. (电路 losses
de-embedded).
图示 16. 在-32011 和 在-32033
第三 顺序 intercept vs. 频率
和 偏差 在 v
CE
= 2 .7 v, 和 最优的
tuning.
p 1db (dbm)
0
-5
频率 (ghz)
1.0 1.5
10
0
-2.5
0.5 2.5
2.5
2.0
7.5
2 毫安
5 毫安
5
g 1db (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
20
10
5
0.5 2.5
15
2.0
2 毫安
5 毫安
g 1db (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
20
10
5
0.5 2.5
15
2.0
2 毫安
5 毫安
图示 11. 在-32011 和 在-32033
电源 在 1 db 增益 压缩 vs.
频率 和 电流 在 v
CE
␣= 1 v.
图示 12. 在-32011 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
␣= 1 v.
图示 13. 在-32033 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
␣= 1 v.
图示 8. 在-32011 和 在-32033
电源 在 1 db 增益 压缩 vs.
频率 和 电流 在 v
CE
␣= 5 v.
图示 9. 在-32011 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
␣= 5 v.
图示 10. 在-32033 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
␣= 5 v.
p 1db (dbm)
0
-5
频率 (ghz)
1.0 1.5
20
5
0
0.5 2.5
10
2.0
15
2 毫安
5 毫安
10 毫安
20 毫安
g 1db (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
20
10
5
0.5 2.5
15
2.0
2 毫安
5 毫安
10 毫安
20 毫安
g 1db (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
20
10
5
0.5 2.5
15
2.0
2 毫安
5 毫安
10 毫安
20 毫安
在-32011, 在-32033 典型 效能
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