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资料编号:142993
 
资料名称:AT41511
 
文件大小: 103.88K
   
说明
 
介绍:
General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4-135
描绘 信息,
T
一个
= 25
°
C
在-41511 在-41533
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最小值 典型值
NF 噪音 图示 f = 0.9 ghz dB 1.0 1.0
V
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安 f = 2.4 ghz 1.7 1.6
G
一个
有关联的 增益 f = 0.9 ghz dB 15.5 14.5
V
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安 f = 2.4 ghz 11 9
P
1dB
电源 在 1 db 增益 压缩 (opt tuning) f = 0.9 ghz dBm 14.5 14.5
V
CE
= 5 v, i
C
= 25 毫安
G
1dB
增益 在 1 db 增益 压缩 (opt tuning) f = 0.9 ghz dB 17.5 14.5
V
CE
= 5 v, i
C
= 25 毫安
IP
3
输出 第三 顺序 intercept 要点, f = 0.9 ghz dBm 25 25
V
CE
= 5 v, i
C
=25 毫安 (opt tuning)
|S
21E
|
2
增益 在 50
系统; v
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安 f = 0.9 ghz dB 13.5 15.5 10.8 12.8
f = 2.4 ghz 7.9 5.2
在-41511, 在-41533 绝对 最大 比率
绝对
标识 参数 单位 最大
[1]
V
EBO
发射级-根基 电压 V 1.5
V
CBO
集电级-根基 电压 V 20
V
CEO
集电级-发射级 电压 V 12
I
C
集电级 电流 毫安 50
P
T
电源 消耗
[2,3]
mW 225
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
电的 规格,
T
一个
= 25
°
C
在-41511 在-41533
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
h
FE
向前 电流 转移 比率 V
CE
=5V - 30 150 270 30 150 270
I
C
= 5 毫安
I
CBO
集电级 截止 电流 V
CB
= 3 v
µ
一个 0.2 0.2
I
EBO
发射级 截止 电流 V
EB
= 1 v
µ
一个 1.0 1.0
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个
的 这些 参数 将 导致
永久的 损坏.
2. t
挂载 表面
= 25
°
c.
3. 减额 在 1.82 mw/
°
c 为 t
C
> 26
°
c.
热的 阻抗:
[2]
θ
jc
=550
°
c/w
订货 信息
部分 号码 Increment Comments
在-41511-blk 100 大(量)
在-41511-tr1 3000 7"卷轴
在-41533-blk 100 大(量)
在-41533-tr1 3000 7"卷轴
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