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资料编号:143024
 
资料名称:AT45DB081B
 
文件大小: 414.7K
   
说明
 
介绍:
8-megabit 2.5-volt Only or 2.7-volt Only DataFlash
 
 


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AT45DB081B
2225C
12/01
便条: 在 tables 2 和 3, 一个 sck 模式 designation 的
任何
denotes 任何 一个 的 这 四 模式 的 运作 (inactive 时钟 极性
低, inactive 时钟 极性 高, spi 模式 0, 或者 spi 模式 3).
表格 1.
读 commands
Command sck 模式 Opcode
持续的 排列 读
inactive 时钟 极性 低 或者 高 68H
spi 模式 0 或者 3 E8H
主要的 记忆 页 读
inactive 时钟 极性 低 或者 高 52H
spi 模式 0 或者 3 D2H
缓存区 1 读
inactive 时钟 极性 低 或者 高 54H
spi 模式 0 或者 3 D4H
缓存区 2 读
inactive 时钟 极性 低 或者 高 56H
spi 模式 0 或者 3 D6H
状态 寄存器 读
inactive 时钟 极性 低 或者 高 57H
spi 模式 0 或者 3 D7H
表格 2.
程序 和 擦掉 commands
Command sck 模式 Opcode
缓存区 1 写 任何 84H
缓存区 2 写 任何 87H
缓存区 1 至 主要的 记忆 页 程序 和 建造-在 擦掉 任何 83H
缓存区 2 至 主要的 记忆 页 程序 和 建造-在 擦掉 任何 86H
缓存区 1 至 主要的 记忆 页 程序 没有 建造-在 擦掉 任何 88H
缓存区 2 至 主要的 记忆 页 程序 没有 建造-在 擦掉 任何 89H
页 擦掉 任何 81H
块 擦掉 任何 50H
主要的 记忆 页 程序 通过 缓存区 1 任何 82H
主要的 记忆 页 程序 通过 缓存区 2 任何 85H
表格 3.
额外的 commands
Command sck 模式 Opcode
主要的 记忆 页 至 缓存区 1 转移 任何 53H
主要的 记忆 页 至 缓存区 2 转移 任何 55H
主要的 记忆 页 至 缓存区 1 对比 任何 60H
主要的 记忆 页 至 缓存区 2 对比 任何 61H
自动 页 rewrite 通过 缓存区 1 任何 58H
自动 页 rewrite 通过 缓存区 2 任何 59H
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