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AT45DB081B
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stream. 可擦可编程只读存储器 emulation (位 或者 字节 alterability) 是 容易地 处理 和 一个 自-
包含 三 步伐 读-modify-写 运作. 不像 常规的 flash memories
那 是 accessed randomly 和 多样的 地址 线条 和 一个 并行的 接口, 这
dataflash 使用 一个 spi 串行 接口 至 sequentially 进入 它的 数据. dataflash sup-
端口 spi 模式 0 和 模式 3. 这 简单的 串行 接口 facilitates 硬件 布局,
增加 系统 可靠性, 降低 切换 噪音, 和 减少 包装 大小 和
起作用的 管脚 计数. 这 设备 是 优化 为 使用 在 许多 商业的 和 工业的
产品 在哪里 高 密度, 低 管脚 计数, 低 电压, 和 低 电源 是 essential.
这 设备 运作 在 时钟 发生率 向上 至 20 mhz 和 一个 典型 起作用的 读 电流
消耗量 的 4 毫安.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at45db081b 做 不 需要
高 输入 电压 为 程序编制. 这 设备 运作 从 一个 单独的 电源 供应,
2.5v 至 3.6v 或者 2.7v 至 3.6v, 为 两个都 这 程序 和 读 operations. 这
at45db081b 是 使能 通过 这 碎片 选择 管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个 三-线
接口 consisting 的 这 串行 输入 (si), 串行 输出 (所以), 和 这 串行 时钟
(sck).
所有 程序编制 循环 是 自-安排时间, 和 非 独立的 擦掉 循环 是 必需的 在之前
程序编制.
当 这 设备 是 运输 从 atmel, 这 大多数 重大的 页 的 这 记忆 排列
将 不 是 erased. 在 其它 words, 这 内容 的 这 last 页 将 不 是 filled 和
ffh.
块 图解
记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility, 这 记忆 排列 的 这 at45db081b 是 分隔 在 三
水平 的 granularity comprising 的 sectors, blocks, 和 页. 这 记忆 architecture
图解 illustrates 这 损坏 的 各自 水平的 和 详细信息 这 号码 的 页 每
sector 和 块. 所有 程序 行动 至 这 dataflash 出现 在 一个 页-用-页
基准; 不管怎样, 这 optional 擦掉 行动 能 是 执行 在 这 块 或者 页
水平的.
flash 记忆 排列
页 (264 字节)
缓存区 2 (264 字节)缓存区 1 (264 字节)
i/o 接口
SCK
CS
重置
VCC
地
rdy/busy
WP
SOSI
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