AT45DB041
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写 行动
这 下列的 块 图解 和 波形 illustrate 这 各种各样的 写 sequences 有.
主要的 记忆 页 程序 通过 缓存区
缓存区 写
缓存区 至 主要的 记忆 页 程序
(数据 从 缓存区 编写程序 在 flash 页)
flash 记忆 排列
页 (264 字节)
缓存区 2 (264 字节)缓存区 1 (264 字节)
i/o 接口
SI
缓存区 1 至
主要的 记忆
页 程序
主要的 记忆
页 程序
通过 缓存区 2
缓存区 2 至
主要的 记忆
页 程序
主要的 记忆 页
程序 通过
缓存区 1
缓存区 1
写
缓存区 2
写
SI
CMD n n+1 last 字节
· 完成 writing 在 选择 缓存区
· 开始 自-安排时间 擦掉/程序 运作
CS
rrrrr,pa9-7 pa6-0, bfa8 bfa7-0
SI
CMD X x···x, bfa8
bfa7-0
n
n+1
last 字节
· 完成 writing 在 选择 缓存区
CS
SI
CMD rrrrr,pa9-7 pa6-0, x
CS
开始 自-安排时间 擦掉/程序 运作
X
各自 转变 代表
8 位 和 8 时钟 循环
n = 1st 字节 读
n+1 = 2nd 字节 读
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