AT45D041
6
交流 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
f
SCK
sck 频率 10 MHz
t
CS
最小 cs高 时间 250 ns
t
CSS
CS建制 时间 250 ns
t
CSH
CS支撑 时间 250 ns
t
WH
sck 高 时间 40 ns
t
WL
sck 低 时间 40 ns
t
SU
数据 在 建制 时间 10 ns
t
H
数据 在 支撑 时间 25 ns
t
HO
输出 支撑 时间 0 ns
t
DIS
输出 使不能运转 时间 75 ns
t
V
输出 有效的 80 ns
t
XFR
页 至 缓存区 转移/对比 时间 80 150
µ
s
t
EP
页 擦掉 和 程序编制 时间 10 20 ms
t
P
页 程序编制 时间 7 14 ms
直流 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SB
备用物品 电流
CS, 重置, wp = v
IH
, 所有 输入 在
cmos 水平
20 40
µ
一个
I
CC1
起作用的 电流, 读 运作
f = 10 mhz; i
输出
= 0 毫安; v
CC
= 5.5v
15 25 毫安
I
CC2
起作用的 电流, 程序/擦掉 运作 25 50 毫安
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= 0v 至 v
CC
10
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
i/o
= 0v 至 v
CC
10
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1 毫安 0.45 V
V
OH1
输出 高 电压 I
OH
= -400
µ
a2.4v
V
OH2
输出 高 电压 I
OH
= -100
µ
一个; v
CC
= 4.5v 4.2 V
输入 测试 波形 和 度量 水平
t
R
, t
F
< 20 ns (10% 至 90%)
交流
驱动
水平
交流
度量
水平的
0.45v
2.0
0.8
2.4v
输出 测试 加载
设备
下面
测试
30 pf