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at45db321c [preliminary]
3387b–dflsh–9/04
它的 34,603,008 位 的 记忆 是 有组织的 作 8192 页 的 528 字节 各自. 在 addi-
tion 至 这 33-megabit 主要的 记忆, 这 at45db321c 也 包含 二 sram
缓存区 的 528 字节 各自.
这 缓存区 准许 这 接到 的 数据 当 一个 页 在 这 主要的 页 记忆 是 正在
reprogrammed, 作 好 作 writing 一个 持续的 数据 stream. 可擦可编程只读存储器 emulation (位 或者
字节 alterability) 是 容易地 处理 和一个 自-包含 三 步伐 读-modify-写
运作. 不像 常规的 flash memories 那 是 accessed randomly 和 multi-
ple 地址 线条 和 一个 并行的 接口, 这 dataflash 使用 一个 rapids 串行 接口
至 sequentially 进入 它的 数据. 这 simple sequential 进入 dramatically 减少
起作用的 管脚 计数, facilitates 硬件 layout, 增加 系统 可靠性, 降低
切换 噪音, 和 减少 包装 大小. 这 设备 是 优化 为 使用 在 许多
商业的 和 工业的 产品 在哪里 高-密度, 低-管脚 计数, 低-电压
和 低-电源 是 essential. 这 设备 运作 在 时钟 发生率 向上 至 40 mhz
和 一个 典型 起作用的 读 电流 消耗量 的 10 毫安.
至 准许 为 简单的 在-system reprogrammability, 这 在45db321c 做 不 需要
高 输入 电压 为 程序编制. 这 设备 运作 从 一个 单独的 电源 供应,
2.7v 至 3.6v, 为 两个都 这 程序 和 read 行动. 这 at45db321c 是 使能
通过 这 碎片 选择 管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个 三-线 接口 consisting 的
这 串行 输入 (si), 串行 输出 (所以), 和 这 串行 时钟 (sck).
所有 程序编制 和 擦掉 循环 是 自-安排时间.
块 图解
记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility, 这 记忆 array 的 这 at45db321c 是 分隔 在 三
水平 的 granularity comprising 的 sectors, blocks, 和 页. 这 “memory architec-
ture diagram” illustrates 这损坏 的 各自 水平的 和详细信息 这 号码 的 页
每 sector 和 块. 所有 程序 行动 至 这 dataflash 出现 在 一个 页 用 页
基准. 这 擦掉 行动 能 是 执行 在 这 块 或者 页 水平的.
flash 记忆 排列
页 (528 字节)
缓存区 2 (528 字节)缓存区 1 (528 字节)
i/o 接口
SCK
CS
重置
VCC
地
rdy/busy
WP
SOSI
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