1
特性
•
单独的 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 附带的 接口 (spi) 兼容
•
20 mhz 最大值 时钟 频率
•
页 程序 运作
– 单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
– 8192 页 (528 字节/页) 主要的 记忆
•
支持 页 和 块 擦掉 行动
•
二 528-字节 sram 数据 缓存区 – 准许 接到 的 数据
当 reprogramming 的 nonvolatile 记忆
•
持续的 读 能力 通过 全部 排列
– 完美的 为 代号 shadowing 产品
•
低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
– 2 µa cmos 备用物品 电流 典型
•
硬件 数据 保护 特性
•
100% 兼容 至 at45db321
•
5.0v-tolerant 输入: si, sck, cs, 重置和 wp管脚
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at45db321b 是 一个 2.7-volt 仅有的, 串行 接口 flash 记忆 ideally suited 为
一个 宽 多样性 的 数字的 voice-, image-, 程序 代号- 和 数据-存储 applications.
它的 34,603,008 位 的 记忆 是 有组织的 作 8192 页 的 528 字节 各自. 在
增加 至 这 主要的 记忆, 这 at45db321b 也 包含 二 sram
数据 缓存区 的 528 字节 各自. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个 页 在 这
主要的 记忆 是 正在 reprogrammed, 作 好 作 读 或者 writing 一个 持续的 数据
32-megabit
2.7-volt 仅有的
DataFlash
®
AT45DB321B
tsop 顶 视图
Type1
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rdy/busy
重置
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VCC
地
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CS
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所以
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cbga 顶 视图 通过 包装
一个
B
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H
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VCC
WP
重置
NC
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地
rdy/bsy
SI
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SCK
CS
所以
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管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 时钟
SI 串行 输入
所以 串行 输出
WP
硬件 页 写 保护 管脚
重置
碎片 重置
rdy/busy
准备好/busy
dataflash card
(1)
便条: 1. 看 at45dcb004 数据手册
7654321
SOIC
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重置
rdy/busy
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rev. 2223d–dflash–10/02