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AT45DB321
8
直流 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SB
备用物品 电流
CS
, 重置, wp= v
IH
, 所有 输入
在 cmos 水平
310
µ
一个
I
CC1
起作用的 电流, 读
运作
f = 13 mhz; i
输出
= 0 毫安;
V
CC
= 3.6v
410mA
I
CC2
起作用的 电流, 程序/擦掉
运作
V
CC
= 3.6v 15 35 毫安
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= cmos 水平 1
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
i/o
= cmos 水平 1
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 0.6 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 1.6 毫安; v
CC
= 2.7v 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -100
µ
AV
CC
- 0.2v V
交流 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
f
SCK
sck 频率 13 MHz
t
WH
sck 高 时间 35 ns
t
WL
sck 低 时间 35 ns
t
CS
最小 cs高 时间 250 ns
t
CSS
CS建制 时间 250 ns
t
CSH
CS支撑 时间 250 ns
t
CSB
CS高 至 rdy/busy低 200 ns
t
SU
数据 在 建制 时间 10 ns
t
H
数据 在 支撑 时间 20 ns
t
HO
输出 支撑 时间 0 ns
t
DIS
输出 使不能运转 时间 25 ns
t
V
输出 有效的 30 ns
t
XFR
页 至 缓存区 转移/对比 时间 120 200
µ
s
t
EP
页 擦掉 和 程序编制 时间 10 20 ms
t
P
页 程序编制 时间 7 15 ms
t
PE
页 擦掉 时间 6 10 ms
t
是
块 擦掉 时间 7 15 ms
t
RST
重置脉冲波 宽度 10
µ
s
t
REC
重置恢复 时间 1
µ
s
输入 测试 波形 和 度量 水平
t
R
, t
F
< 5 ns (10% 至 90%)
交流
驱动
水平
交流
度量
水平的
0.45v
2.0
0.8
2.4v
输出 测试 加载
设备
下面
测试
30 pf

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AT45DB321 8 直流特性标识参数情况最小值典型值最大值单位 I SB 备用物品电流 CS , 重置, wp= v IH , 所有输入在 cmos 水平 310 µ 一个 I CC1 起作用的电流, 读运作 f = 13 mhz; i 输出 = 0 毫安; V CC = 3.6v 410mA I CC2 起作用的电流, 程序/擦掉运作 V CC = 3.6v 15 35 毫安 I LI 输入加载电流 V 在 = cmos 水平 1 µ 一个 I LO 输出泄漏电流 V i/o = cmos 水平 1 µ 一个 V IL 输入低电压 0.6 V V IH 输入高电压 2.0 V V OL 输出低电压 I OL = 1.6 毫安; v CC = 2.7v 0.4 V V OH 输出高电压 I OH = -100 µ AV CC - 0.2v V 交流特性标识参数最小值典型值最大值单位 f SCK sck 频率 13 MHz t WH sck 高时间 35 ns t WL sck 低时间 35 ns t CS 最小 cs高时间 250 ns t CSS CS建制时间 250 ns t CSH CS支撑时间 250 ns t CSB CS高至 rdy/busy低 200 ns t SU 数据在建制时间 10 ns t H 数据在支撑时间 20 ns t HO 输出支撑时间 0 ns t DIS 输出使不能运转时间 25 ns t V 输出有效的 30 ns t XFR 页至缓存区转移/对比时间 120 200 µ s t EP 页擦掉和程序编制时间 10 20 ms t P 页程序编制时间 7 15 ms t PE 页擦掉时间 6 10 ms t 是块擦掉时间 7 15 ms t RST 重置脉冲波宽度 10 µ s t REC 重置恢复时间 1 µ s 输入测试波形和度量水平 t R , t F < 5 ns (10% 至 90%) 交流驱动水平交流度量水平的 0.45v 2.0 0.8 2.4v 输出测试加载设备下面测试 30 pf

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