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AT45DB011B
1984h–dflsh–10/04
布局, 增加 system 可靠性, 降低 切换噪音, 和 减少 包装 大小 和
起作用的 管脚 计数. 这 设备 是 优化 为 使用 在 许多 商业的 和 工业的 applica-
tions 在哪里 高 密度, 低 管脚 计数, 低 电压, 和 低 电源 是 essential. 这 设备
运作 在 时钟 发生率 向上 至 20 mhz 和一个 典型 起作用的 读 电流 消耗量 的
4ma.
至 准许 为 简单的 在-系统reprogrammability, 这 at45db011b做 不 需要 高 输入
电压 为 程序编制. 这 设备 运作 从一个 单独的 电源 供应, 2.7v 至 3.6v, 为
两个都 这 程序 和 读 行动. 这 at45db011b 是 使能 通过 这 碎片 选择
管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个 三-线 接口 consisting 的 这 串行 输入 (si), 串行 输出-
放 (所以), 和 这 串行 时钟 (sck).
所有 程序编制 循环 是 自-安排时间, 和非 独立的 擦掉 循环 是 必需的 在之前
程序编制.
当 这 设备 是 运输 从 atmel, 这 大多数 重大的 页 的 这 记忆 排列 将
不 是 erased. 在 其它words, 这 内容 的 这 last 页 毫安y 不 是 filled 和 ffh.
块 图解
记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility, the 记忆 排列 的 这 at45db011b是 分隔 在 三 水平
的 granularity comprising 的 sectors, blocks, 和 页. 这 记忆 architecture 图解
illustrates 这 损坏 的 各自 水平的 和 详细信息 这 号码 的 页 每 sector 和 块.
所有 程序 行动 至 这 dataflash 出现 在一个 页 用 页 基准; 不管怎样, 这 optional
擦掉 行动 能 是 执行 在 这 块 或者 页 水平的.
flash 记忆 排列
页 (264 字节)
缓存区 (264 字节)
i/o 接口
SCK
CS
重置
VCC
地
rdy/busy
WP
SOSI
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