13
AT45DB011B
1984h–dflsh–10/04
便条: 1. I
cc1
在 一个 缓存区 读 是 20ma 最大.
直流 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SB
备用物品 电流 CS, 重置, wp= v
IH
, 所有 输入 在
cmos 水平
210µA
I
CC1
(1)
起作用的 电流, 读 运作 f = 20 mhz; i
输出
= 0 毫安; v
CC
= 3.6v 4 10 毫安
I
CC2
起作用的 电流, 程序/擦掉
运作
V
CC
= 3.6v 10 25 毫安
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= cmos 水平 1 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
i/o
= cmos 水平 1 µA
V
IL
输入 低 电压 0.6 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 1.6 毫安; v
CC
= 2.7v 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -100 µa V
CC
- 0.2v V
交流 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
f
SCK
sck 频率 20 MHz
f
车
sck 频率 为 持续的 排列 读 20 MHz
t
WH
sck 高 时间 22 ns
t
WL
sck 低 时间 22 ns
t
CS
最小 cs高 时间 250 ns
t
CSS
CS建制 时间 250 ns
t
CSH
CS支撑 时间 250 ns
t
CSB
CS高 至 rdy/busy低 200 ns
t
SU
数据 在 建制 时间 5 ns
t
H
数据 在 支撑 时间 10 ns
t
HO
输出 支撑 时间 0 ns
t
DIS
输出 使不能运转 时间 18 ns
t
V
输出 有效的 20 ns
t
XFR
页 至 缓存区 转移/对比 时间 120 200 µs
t
EP
页 擦掉 和 程序编制 时间 10 20 ms
t
P
页 程序编制 时间 715ms
t
PE
页 擦掉 时间 610ms
t
是
块 擦掉 时间 715ms
t
RST
重置脉冲波 宽度 10 µs
t
REC
重置恢复 时间 1µs