1
1-megabit
2.7-volt 仅有的
DataFlash
®
AT45DB011B
特性
•
单独的 2.7v - 3.6v 供应
•
串行 附带的 接口 (spi) 兼容
•
20 mhz 最大值 时钟 频率
•
页 程序 运作
– 单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
– 512 页 (264 字节/页) 主要的 记忆
•
支持 页 和 块 擦掉 行动
•
一个 264-字节 sram 数据 缓存区
•
持续的 读 capability 通过 全部 排列
– 完美的 为 代号 shadowing 产品
•
快 页 程序 时间 – 7 ms 典型
•
120 µs 典型 页 至 缓存区 转移 时间
•
低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
– 2 µa cmos 备用物品 电流 典型
•
硬件 数据 保护 特性
•
100% 兼容 和 at45db011
•
商业的 和 industrial 温度 范围
•
绿色 (铅/halide-自由) 包装 选项
描述
这 at45db011b 是 一个 2.7-volt 仅有的, 串行 接口 flash 记忆 ideally suited 为
一个 宽 多样性 的 数字的 voice-, image-, 程序 代号- 和 数据-存储 applications.
它的 1,081,344 位 的 记忆 是 有组织的 作 512 页 的 264 字节 各自. 在 addi-
tion 至 这 主要的 记忆, 这 at45db011b 也 包含 一个 sram 数据 缓存区 的 264
字节. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个 页 在 这 主要的 记忆 是 正在
reprogrammed. 可擦可编程只读存储器 emulation (位 或者 字节 alterability) 是 容易地 处理 和 一个
自-包含 三 步伐 读-modify-写 运作. 不像 常规的 flash
memories 那 是 accessed randomly 和 多样的 地址 线条 和 一个 并行的 inter-
面向, 这 dataflash 使用 一个 spi 串行 接口 至 sequentially 进入 它的 数据. spi
模式 0 和 模式 3 是 supported. 这 简单的 串行 在terface facilitates 硬件
AT45DB011B
初步的 16-
megabit 2.7-volt
仅有的 串行
DataFlash
管脚 配置
管脚 名字 函数
CS
碎片 选择
SCK 串行 时钟
SI 串行 输入
所以 串行 输出
WP 硬件 页
写 保护 管脚
重置
碎片 重置
rdy/busy
准备好/busy
cbga 顶 视图
通过 包装
一个
B
C
123
VCC
WP
重置
地
rdy/bsy
SI
SCK
CS
所以
tssop 顶 视图
Type 1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
rdy/busy
重置
WP
VCC
地
SCK
所以
CS
NC
NC
NC
NC
NC
SI
SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
SI
SCK
重置
CS
所以
地
VCC
WP
rev. 1984h–dflsh–10/04
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