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特性
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64k x 32-位 flash embedded 记忆 cell
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快 读 进入 时间
– 随机的 进入 时间: 70 ns worst 情况 (处理, 电压, 温度)
– 页 进入 时间: 40 ns worst 情况 (处理, 电压, 温度)
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单独的 供应 电压: 1.8v ±10%
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页 程序 运作
– 1024 页 (64 words/页)
– 内部的 数据 latches 为 64 words
– 读 能力 在 数据 加载
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程序 循环 时间: 4 ms 每 页 包含 自动-擦掉
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全部 碎片 擦掉 有 在 10 ms
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rdybsyn 信号 为 终止 的 程序 发现
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非常 低 电源 消耗
– 8 毫安 起作用的 电流 在 写 和 擦掉
– 4 毫安 起作用的 电流 在 随机的 读
– 30 µa 保卫-用 电流
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高 可靠性 cmos 技术
– 典型 忍耐力: 100k 写/文字
– 数据 保持: 10 年
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erased 状态 (charged 门) 是 一个 逻辑 “1”
描述
这 64k x 32-位 cell 是 一个 embedded 2-mbit flash 用电气 可擦掉的 和 程序-
mable 读 仅有的 记忆 和 一个 电源 供应 的 1.8v ±10%. 这 记忆 是 有组织的
作 1024 页 的 64 32-位 words 各自. 这 设备 使用 这 atmel atc18 0.18 µm sil-
icon 处理. 为 容易 reprogrammability, 它做 不 需要 一个 高 输入 电压 为
程序编制: 这 embedded flash 能 是 运作 和 一个 单独的 1.8v ±10% 电源
供应.
re-程序编制 这 cell 是 执行 在 一个 页 基准: 这 words 至 是 写 (从 一个
最小 的 1 文字 至 一个 最大 的 64 words) 是 承载 在 这 设备 和 然后
同时发生地 写 在 这 targeted 页 之后 这 全部 页 有 被 erased dur-
ing 这 自动-擦掉 阶段. 2 ms 是 需要 至 擦掉 这 页, followed 用 2 ms 至
写 这 words, 独立 的 这 号码 的 words 那 是 写 在 并行的 在
这 targeted 页. 因此 这 写 时间 之后 这 自动-擦掉 varies 从 一个 最大 的
2 ms 每 文字 如果 仅有的 1 文字 是 写 至 一个 最小 的 32 µs 每 文字 如果 这 全部
页 是 写 在 一个 时间. 记忆 读 是允许 在 数据 加载 和 forbidden
once 程序编制 有 started. 这 信号 rdybsyn 脉冲 低 在 这 beginning 的 这
程序 循环 至 表明 那 这 记忆 是 不 准备好 为 一个 读 运作. 程序-
ming 这 全部 记忆 能 是 完毕 使用 一个 全部 碎片 擦掉 followed 用 1024 页
写 没有 自动-擦掉. 对照的 至 全部-记忆 程序编制 使用 自动-擦掉 在
各自 页, 这 程序编制 时间 是 减少 用 half. 在 这 终止 的 各自 程序
循环, 这 rdybsyn 信号 脉冲 高 至 indicate 那 程序编制 是 完成 和
这 记忆 有 为 一个 新 程序 或者 读 循环. 读 数据 输出 的 这 设备
能 是 完毕 在 一个 异步的 和 随机的 manner, 和 70 ns 进入 时间.
embedded asic
记忆 cell
ATC18
64k x 32-位
低-电源
Flash
进步
信息
rev. 2680a–casic–11/02
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