atf-38143 绝对 最大 比率
[1]
绝对
标识 参数 单位 最大
V
DS
流 - 源 电压
[2]
V 4.5
V
GS
门 - 源 电压 V -4
V
GD
门 流 电压 V -4
I
DS
流 电流 毫安 I
dss
P
diss
总的 电源 消耗
[2]
mW 580
P
在 最大值
rf 输入 电源 dBm 17
T
CH
频道 温度
°
C 160
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 160
θ
jc
热的 阻抗
[3]
°
c/w 165
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个
的 这些 参数 将 导致
永久的 损坏.
2. 源 含铅的 温度 是 25
°
c.
减额 6␣ mw/
°
c 为 t
L
> 64
°
c.
3. 热的 阻抗 量过的 使用
150
°
c liquid 结晶 度量
方法.
产品 consistency 分发 charts
便条:
分发 数据 样本 大小 是 450
样本 带去 从 6 不同的 wafers.
future wafers allocated 至 这个 产品
将 有 名义上的 值 anywhere 在里面
这 upper 和 更小的 规格 限制.
度量 制造 在 生产 测试
板. 这个 电路 代表 一个 trade-止
在 一个 最优的 噪音 相一致 和 一个
realizeable 相一致 为基础 在 生产 测试
(所需的)东西. 电路 losses 有 被 de-
embedded 从 真实的 度量.
oip3 (db)
图示 2. oip3 @ 2 ghz, 2 v, 10 毫安.
LSL=18.5, 名义上的=21.99, usl=26.0
18 26
cpk = 1.59062
stdev = 0.73 dbm
6 wafers
样本 大小 = 450
300
250
200
150
100
50
0
2220 24
+3 标准
-3 标准
nf (db)
图示 3. nf @ 2 ghz, 2 v, 10 毫安.
LSL=0, 名义上的=0.44, usl=0.85
0.1 0.30.2 0.60.4 0.5 0.90.7 0.8
-3 标准
+3 标准
cpk = 4.08938
stdev = 0.03 db
6 wafers
样本 大小 = 450
180
150
120
90
60
30
0
增益 (db)
图示 4. 增益 @ 2 ghz, 2 v, 10 毫安.
LSL=15.0, 名义上的=16.06, usl= 18.0
15 15.5 16 16.5 17 17.5 18
-3 标准 +3 标准
160
120
80
40
0
cpk = 2.58097
stdev = 0.14 db
6 wafers
样本 大小 = 450
V
DS
(v)
图示 1. 典型 i-v 曲线.
(v
GS
= -0.2 v 每 步伐)
I
DS
(毫安)
012
3
4
5
250
200
150
100
50
0
0 v
–0.6 v
+0.6 v
2001.04.26, 9:18 ampage 2
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