2
atf-551m4 绝对 最大 比率
[1]
绝对
标识 参数 单位 最大
V
DS
流-源 电压
[2]
V5
V
GS
门-源 电压
[2]
V -5 至 1
V
GD
门 流 电压
[2]
V -5 至 1
I
DS
流 电流
[2]
毫安 100
I
GS
门 电流
[5]
毫安 1
P
diss
总的 电源 消耗
[3]
mW 270
P
在 最大值
rf 输入 电源 dBm +10
T
CH
频道 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
θ
jc
热的 阻抗
[4]
°
c/w 240
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个 的
这些 参数 将 导致 永久的
损坏.
2. 假设 直流 安静的 情况.
3. 源 含铅的 温度 是 25
°
c. 减额
6 mw/
°
c 为 t
L
> 40
°
c.
4. 热的 阻抗 量过的 使用
150
°
C liquid 结晶 度量 方法.
5. 设备 能 safely handle +10 dbm rf 输入
电源 提供 i
GS
是 限制 至 1 毫安. i
GS
在
P
1dB
驱动 rf 水平的 是 偏差 电路 依赖.
看 产品 部分 为 额外的
信息.
产品 consistency 分发 charts
[6]
V
DS
(v)
图示 1. 典型 i-v 曲线.
(v
GS
= 0.1 v 每 步伐)
I
DS
(毫安)
0.4v
0.5v
0.6v
0.7v
0.3v
02146537
70
60
50
40
30
20
10
0
增益 (dbm)
图示 2. 能力 plot 为 增益 @ 2.7 v,
10 毫安. lsl = 15.5, 名义上的 = 17.5,
usl = 18.5
15 1716 18 19
180
150
120
90
60
30
0
cpk = 1.64
stdev = 0.19
-3 标准 +3 标准
OIP3
图示 3. 能力 plot 为 oip3 @ 2.7 v,
10 毫安. lsl = 22.0, 名义上的 = 24.1
22 2423 25 26
150
120
90
60
30
0
cpk = 2.85
stdev = 0.25
-3 标准
NF
图示 4. 能力 plot 为 nf @ 2.7 v,
10 毫安. 名义上的 = 0.5, usl = 0.9
0.29 0.690.49 0.89 1.09
160
120
80
40
0
cpk = 2.46
stdev = 0.06
+3 标准
便条:
6. 分发 数据 样本 大小 是 398 样本 带去 从 4 不同的 wafers. future wafers allocated 至 这个 产品 将 有 名义上的 值 anywhere
在 这 upper 和 更小的 限制. 度量 制造 在 生产 测试 板. 这个 电路 代表 一个 trade-止 在 一个 最优的 噪音 相一致
和 一个 realizeable 相一致 为基础 在 生产 测试 设备. 电路 losses 有 被 de-embedded 从 真实的 度量.
: 点此下载
