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资料编号:144316
 
资料名称:ATF-551M4-TR1
 
文件大小: 198.26K
   
说明
 
介绍:
Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Miniature Leadless Package
 
 


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atf-551m4 典型 效能 曲线
, 持续
注释:
1. 度量 在 2 ghz 和 偏置 2.7v, 10 毫安 是 制造 在 一个 fixed tuned 生产 测试 板 那 是 tuned 为 最优的 oip3 相一致 和
合理的 噪音 图示. 这个 电路 代表 一个 trade-止 在 最优的 噪音 相一致, 最大 oip3 相一致 和 一个 realizable 相一致 为基础 在
生产 测试 板 (所需的)东西. 度量 带去 其它 比 2.7v, 10 毫安 偏置 是 制造 使用 一个 翻倍 stub tuner 在 这 输入 tuned 为
低 噪音 和 一个 翻倍 stub tuner 在 这 输出 tuned 为 最大 oip3. 电路 losses 有 被 de-embedded 从 真实的 measurements.
2. 这 fmin 值 是 为基础 在 一个 设置 的 16 噪音 图示 度量 制造 在 16 不同的 阻抗 使用 一个 atn np5 测试 系统. 从 这些
度量 fmin 是 计算. 谈及 至 这 噪音 参数 度量 部分 为 更多 信息.
3. p1db 度量 是 执行 和 被动的 偏置. 安静的 流 电流, idsq, 是 设置 和 零 rf 驱动 applied. 作 p1db 是 approached, 这
流 电流 将 增加 或者 要点. 在 更小的 值 的 idsq, 这 设备 是 运动 关闭 至 类 b 作 电源 输出 approaches p1db. 这个 结果 在
高等级的 p1db 和 高等级的 pae (电源 增加 效率) 当 对照的 至 一个 设备 那 是 驱动 用 一个 常量 电流 源 作 是 典型地 完毕 和
起作用的 偏置. 作 一个 例子, 在 一个 vds = 2.7v 和 idsq = 5 毫安, id 增加 至 15 毫安 作 一个 p1db 的 +14.5 dbm 是 approached.
图示 11. 增益 vs. i
ds
和 v
ds
在 2 ghz
[1]
.
I
ds
(
m
一个)
增益 (db)
03515530252010
20
19
18
17
16
15
2V
2.7v
3V
图示 12. f
m
在 vs. i
ds
和 v
ds
在 2 ghz
[2]
.
I
ds
(
m
一个)
F
m
在 (db)
03515530252010
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2V
2.7v
3V
图示 13. oip3 vs. i
ds
和 v
ds
在 2 ghz
[1]
.
I
ds
(
m
一个)
oip3 (db
m
)
03515530252010
36
32
28
24
20
16
2V
2.7v
3V
图示 14. iip3 vs. i
ds
和 v
ds
在 2 ghz
[1]
.
I
ds
(
m
一个)
iip3 (db
m
)
03515530252010
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2V
2.7v
3V
图示 15. p1db vs. i
dq
和 v
ds
在 2 ghz
[1]
.
I
dq
(
m
一个)
p1db (db)
03515530252010
2V
2.7v
3V
17
16
15
14
13
12
11
10
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