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这 值 的 电阻器 r1 和 r2
是 计算 和 这 下列的
formulas
r1 =
V
gs
(2)
p
I
BB
r2 =
(v
ds
– v
gs
) r1
(3)
p
V
gs
例子 电路
V
DD
= 5V
V
ds
= 3V
I
ds
= 60 毫安
V
gs
= 0.59V
choose i
BB
至 是 在 least 10x 这
正常的 预期的 门 泄漏
电流. i
BB
是 选择 至 是
2 毫安 为 这个 例子. 使用
equations (1), (2), 和 (3) 这
电阻器 是 计算 作
跟随
r1 = 295
Ω
r2 = 1205
Ω
r3 = 32.3
Ω
起作用的 偏置
起作用的 偏置 提供 一个 意思
的 keeping 这 安静的 偏差
要点 常量 在 温度
和 常量 在 lot 至 lot
变化 在 设备 直流 perfor-
mance. 这 有利因素 的 这
起作用的 偏置 的 一个 增强
模式 phemt 相比 一个 depletion
模式 phemt 是 那 一个 负的
电源 源 是 不 必需的. 这
技巧 的 起作用的 偏置 一个
增强 模式 设备 是
非常 类似的 至 那些 使用 至 偏差
一个 双极 接合面 晶体管.
输入
C1
C2
C3
C7
L1
R5
R6
R7 R3
R2
R1
Q2
Vdd
R4
L2 L3
L4
Q1
Zo
Zo
C4
C5
C6
输出
图示 2. 典型 atf-54143 lna 和
起作用的 偏置.
一个 起作用的 偏差 scheme 是 显示
在 图示 2. r1 和 r2 提供 一个
常量 电压 源 在 这
根基 的 一个 pnp 晶体管 在 q2.
这 常量 电压 在 这 根基
的 q2 是 raised 用 0.7 伏特 在 这
发射级. 这 常量 发射级
电压 加 这 管制 v
DD
供应 是 呈现 横过 resis-
tor r3. 常量 电压 横过
r3 提供 一个 常量 电流
供应 为 这 流 电流.
电阻器 r1 和 r2 是 使用 至
设置 这 desired vds. 这 com-
bined 序列 值 的 这些
电阻器 也 sets 这 数量 的
extra 电流 consumed 用 这
偏差 网络. 这 equations 那
describe 这 电路’s 运作
是 作 跟随.
V
E
= v
ds
+ (i
ds
•
r4)(1)
r3 =
V
DD
– v
E
(2)
p
I
ds
V
B
= v
E
– v
是
(3)
V
B
=
R1
V
DD
(4)
p
r1 + r2
V
DD
= i
BB
(r1 + r2)(5)
rearranging 等式 (4)
提供 这 下列的 formula
r2 =
R
1
(v
DD
– v
B
)
(4a)
p
V
B
和 rearranging 等式 (5)
提供 这 下列的 formula
r1 =
V
DD
(5a)
9
I
BB
(
1 +
V
DD
– v
B
)
p
V
B
例子 电路
V
DD
= 5V
V
ds
= 3V
I
ds
= 60 毫安
r4 = 10
Ω
V
是
= 0.7 V
等式 (1) calculates 这
必需的 电压 在 这 发射级 的
这 pnp 晶体管 为基础 在
desired V
ds
和I
ds
通过
电阻 r4 至 是 3.6v. 等式
(2) calculates 这 值 的 resis-
tor r3 这个 确定 这
流 电流 i
ds
. 在 这 例子
R3=23.3
Ω
. 等式 (3) calcu-
lates 这 电压 必需的 在 这
接合面 的 电阻器 r1 和 r2.
这个 电压 加 这 步伐-向上 的
这 根基 发射级 接合面 deter-
mines 这 管制 v
ds
. equa-
tions (4) 和 (5) 是 solved
同时发生地 至 决定 这
值 的 电阻器 r1 和 r2. 在
这 例子 r1=1450
Ω
和
R2=1050
Ω
. r7 是 选择 至 是
1k
Ω
. 这个 电阻 keeps 一个 小
数量 的 电流 flowing
通过 q2 至 帮助 维持 偏差
稳固. r6 是 选择 至 是
10k
Ω
. 这个 值 的 阻抗 是
需要 至 限制 q1 门
电流 在 这 存在 的 高
rf 驱动 水平的 (特别 当
q1 是 驱动 至 p
1dB
增益 com-
pression 要点).
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