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资料编号:144372
 
资料名称:ATF-13736
 
文件大小: 49.53K
   
说明
 
介绍:
2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5-40
atf-13736 典型 效能, t
一个
= 25
°
C
atf-13736 绝对 最大 比率
绝对
标识 参数 单位 最大
[1]
V
DS
流-源 电压 V +5
V
GS
门-源 电压 V -4
V
GD
门-流 电压 V -6
I
DS
流 电流 毫安 I
DSS
P
T
电源 消耗
[2,3]
mW 225
T
CH
频道 温度
°
C 175
T
STG
存储 温度
[4]
°
C -65 至 +175
热的 阻抗:
θ
jc
= 400
°
c/w; t
CH
= 150
°
C
liquid 结晶 度量:
1␣
µ
m spot 大小
[5]
注释:
1. 永久的 损坏 将 出现 如果
任何 的 这些 限制 是 超过.
2. T
情况 温度
= 25
°
c.
3. 减额 在 2.5 mw/
°
c 为
T
情况
> 85
°
c.
4. 存储 在之上 +150
°
c 将 tarnish
这 leads 的 这个 包装 制造 它
difficult 至 焊盘 在 一个 电路.
之后 一个 设备 有 被 焊接
在 一个 电路, 它 将 是 safely
贮存 向上 至 175
°
c.
5. 这 小 spot 大小 的 这个 tech-
nique 结果 在 一个 高等级的, though
更多 精确 determination 的
θ
jc
比 做 alternate 方法. 看
度量 部分 为
更多 信息.
部分 号码 订货 信息
部分 号码 设备 每 卷轴 卷轴 大小
atf-13736-tr1 1000 7"
atf-13736-str 10 strip
频率 (ghz)
NF
O
(db)
图示 3. 嵌入 电源 增益,
最大 有 增益 和
最大 稳固的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 2.5 v, i
DS
= 20 毫安.
频率 (ghz)
增益 (db)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
16
14
12
10
8
6
G
一个
(db)
6.0 10.08.0 12.0 14.0 16.0
G
一个
NF
O
|S
21
|
2
MSG
MSG
MAG
2.0 4.0 6.0 8.0
10.0 12.0 16.0
25
20
15
10
5
0
图示 1. 最佳的 噪音 图示 和
有关联的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 2.5v, i
DS
= 20 毫安, t
一个
= 25
°
c.
图示 2. 嵌入 电源 增益,
最大 有 增益 和
最大 稳固的 增益 vs. 频率.
V
DS
= 2.5 v, i
DS
= 20 毫安.
频率 (ghz)
增益 (db)
|S
21
|
2
MSG
MAG
2.0 4.0 6.0 8.0
10.0 12.0 16.0
25
20
15
10
5
0
atf-13736 噪音 参数:
V
DS
= 2.5 v, i
DS
= 20 毫安
freq. NF
O
Γ
opt
GHz dB
Mag Ang
R
N
/50
4.0 1.1 .71 102 .10
6.0 1.3 .55 147 .07
8.0 1.5 .46 -144 .19
12.0 1.8 .50 -40 .88
14.0 2.1 .52 -2 1.17
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