idt54/74fct646/2646/652/2652t/在/ct/dt, 648t/在/ct
快 cmos octal transceiver/寄存器 军队 和 商业的 温度 范围
6.20 5
电容
(t
一个
= +25
°
c, f = 1.0mhz)
绝对 最大 比率
(1)
标识 参数
(1)
情况 典型值 最大值 单位
C
在
输入
电容
V
在
= 0v 6 10
pF
C
输出
输出
电容
V
输出
= 0v 8 12
pF
2634 lnk 05
便条:
1. 这个 参数 是 量过的 在 描绘 但是 不 测试.
标识 描述 最大值 单位
V
期
(2)
终端 电压 和 遵守 至
地
–0.5 至 +7.0 V
V
期
(3)
终端 电压 和 遵守 至
地
–0.5 至
V
CC
+0.5
V
T
STG
存储 温度 –65 至 +150
°
C
I
输出
直流 输出 电流 –60 至 +120 毫安
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 rat-
ings 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率
仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是
不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 可靠性. 非 终端 电压 将 超过
V
CC
用 +0.5v 除非 否则 指出.
2. 输入 和 v
CC
terminals 仅有的.
3. 输出 和 i/o terminals 仅有的.
2634 lnk 04
直流 电的 特性 在 运行 范围
下列的 情况 应用 除非 否则 指定:
商业的: t
一个
= –40
°
c 至 +85
°
c, v
CC
= 5.0v
±
5%; 军队: t
一个
= –55
°
c 至 +125
°
c, v
CC
= 5.0v
±
10%
2634 lnk 06
标识 参数 测试 情况
(1)
最小值 典型值
(2)
最大值 单位
V
IH
输入 高 水平的 有保证的 逻辑 高 水平的 2.0 — — V
V
IL
输入 低 水平的 有保证的 逻辑 低 水平的 — — 0.8 V
I
i h
输入 高 电流
(4)
V
CC
= 最大值 V
I
= 2.7v — —
±
1
µ
一个
I
i l
输入 低 电流
(4)
V
I
= 0.5v — —
±
1
I
OZH
高 阻抗 输出 电流 V
CC
= 最大值 V
O
= 2.7v — —
±
1
µ
一个
I
OZL
(3-状态 输出 管脚)
(4)
V
O
= 0.5v — —
±
1
I
I
输入 高 电流
(4)
V
CC
= 最大值., v
I
= v
CC
(最大值.) — —
±
1
µ
一个
V
IK
clamp 二极管 电压 V
CC
= 最小值., i
在
= –18ma — –0.7 –1.2 V
V
H
输入 hysteresis
—
— 200 — mV
I
CC
安静的 电源 供应 电流 V
CC
= 最大值., v
在
= 地 或者 v
CC
— 0.01 1 毫安
输出 驱动 特性 为 fct646t/648t/652t
标识 参数 测试 情况
(1)
最小值 典型值
(2)
最大值
单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值
V
在
= v
IH
或者 v
IL
I
OH
= –6ma mil.
I
OH
= –8ma com'l.
2.4 3.3 — V
I
OH
= –12ma mil.
I
OH
= –15ma com'l.
2.0 3.0 — V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值
V
在
= v
IH
或者 v
IL
I
OL
= 48ma mil.
I
OL
= 64ma com'l.
— 0.3 0.55 V
I
OS
短的 电路 电流 V
CC
= 最大值., v
O
= 地
(3)
–60 –120 –225 毫安
I
止
输入/输出 电源 止 泄漏
(5)
V
CC
= 0v, v
在
或者 v
O
≤
4.5v — —
±
1
µ
一个
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