(1) 门 供应 : I
G
=100mA – di/dt = 1A
/
µ
s * 为 也 极性 的 electrode 一个
2
电压 with 涉及 至 electrode 一个
1
(2) Tj = 110
°
C
绝对 最大 比率
控制 AVS1ACP08
Symbol 参数 值 单位
最小值 最大值
V
SS
供应 电压 - 12 0.5 V
V
I
/v
O
I / O 电压 V
SS
- 0.5 0.5 V
I
I
/i
O
I / O 电流 - 40 + 40 毫安
T
stg
存储 温度 - 60 + 150
°
C
T
oper
运行 温度 代号 ” C ” 0 + 70
°
C
TRIAC AVS12CB T
j
=25
°
C (除非 否则 指定)
Symbol 参数 值 单位
V
DRM
Repetitive 顶峰 止-状态 电压 (2)
±
600 V
I
t(rms
) RMS 在-状态 电流 (360
°
传导 角度) T
C
=70
°
C12 一个
I
TSM
非 repetitive surge 顶峰 在-状态 电流
(t
j
最初的 = 25
°
c)
t = 8.3ms
t = 10ms
105
100
一个
I
2
德州仪器
2
t 值 t = 10ms 50 一个
2
s
di/dt 核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流 (1)
Repetitive
F = 50Hz
20
一个/
µ
s
非
Repetitive
100
dv/dt * 直线的 斜度 向上 至 0.67 V
DRM
门 打开 T
j
=110
°
c50v/
µ
s
T
stg
T
j
存储 温度
运行 接合面 温度
- 40 + 150
0 + 110
°
C
Q
Q
重置
CP
S
CP
osc/在
osc/输出
模式
Parasitic
过滤
顶峰 电压
Dectector
AVS1ACP08
A1
A2
Triggering
时间
控制
供应
1
4
8
2
3
振荡器
零 越过
探测器
53
4
2
1
V
V
G
G
DD
7
DD
V
V
V
M
SS
AVS12CB
Mains
模式
控制
MR
块 图解
AVS12
2/8
: 点此下载
