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资料编号:152732
 
资料名称:IRFB4410
 
文件大小: 409.06K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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www.irf.com 3
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗 vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 6.
典型 门 承担 vs. 门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs. 流-至-源 电压
0.1 1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
4.5v
60µs 脉冲波 宽度
tj = 175°c
VGS
15V
10V
8.0v
6.0v
5.5v
5.0v
4.8v
BOTTOM 4.5v
2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
V
DS
= 25v
60µs 脉冲波 宽度
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
, 接合面 温度 (°c)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
N
o
r
m
一个
l
i
z
e
d
)
I
D
= 58a
V
GS
= 10v
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
100
1000
10000
100000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
oss
C
rss
C
iss
0 20 40 60 80 100 120
Q
G
总的 门 承担 (nc)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 80v
V
DS
= 50v
V
DS
= 20v
I
D
= 58a
0.1 1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
VGS
15V
10V
8.0v
6.0v
5.5v
5.0v
4.8v
BOTTOM 4.5v
60µs 脉冲波 宽度
tj = 25°c
4.5v
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