bzx84b4v7lt1, bzx84c2v4lt1 序列
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3
电的 特性 − bzx84cxxxlt1 序列 (标准 容忍)
(引脚: 1-anode, 2-非 连接, 3-cathode)
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出, v
F
= 0.90 v 最大值 @ i
F
= 10 毫安)
(设备 列表 在
bold, italic
是 在 半导体 preferred 设备.)
V
Z1
(伏特)
@I
ZT1
=5mA
(便条 3)
Z
ZT1
(
)
V
Z2
(v)
@I
ZT2
=1mA
(便条 3)
Z
ZT2
(
)
V
Z3
(v)
@I
ZT3
=20mA
(便条 3)
Z
ZT3
(
)
最大值 反转
泄漏
电流
VZ
(mv/k)
@ i
ZT1
= 5 毫安
C (pf)
设备
设备
标记
最小值 Nom 最大值
(
)
@ i
ZT1
=
5 毫安
最小值 最大值
(
)
@ i
ZT2
=
1 毫安
最小值 最大值
(
)
@ i
ZT3
=
20 毫安
V
R
伏特
I
R
一个
@
最小值 最大值
c (pf)
@ v
R
= 0
f = 1 mhz
bzx84c2v4lt1, g* Z11 2.2 2.4 2.6 100 1.7 2.1 600 2.6 3.2 50 50 1 −3.5 0 450
bzx84c2v7lt1, g* Z12 2.5 2.7 2.9 100 1.9 2.4 600 3 3.6 50 20 1 −3.5 0 450
BZX84C3V0LT1 Z13 2.8 3 3.2 95 2.1 2.7 600 3.3 3.9 50 10 1 −3.5 0 450
bzx84c3v3lt1, g* Z14 3.1 3.3 3.5 95 2.3 2.9 600 3.6 4.2 40 5 1 −3.5 0 450
bzx84c3v6lt1, g* Z15 3.4 3.6 3.8 90 2.7 3.3 600 3.9 4.5 40 5 1 −3.5 0 450
bzx84c3v9lt1, g* Z16 3.7 3.9 4.1 90 2.9 3.5 600 4.1 4.7 30 3 1 −3.5 −2.5 450
bzx84c4v3lt1, g* W9 4 4.3 4.6 90 3.3 4 600 4.4 5.1 30 3 1 −3.5 0 450
BZX84C4V7LT1 Z1 4.4 4.7 5 80 3.7 4.7 500 4.5 5.4 15 3 2 −3.5 0.2 260
BZX84C5V1LT1 Z2 4.8 5.1 5.4 60 4.2 5.3 480 5 5.9 15 2 2 −2.7 1.2 225
BZX84C5V6LT1 Z3 5.2 5.6 6 40 4.8 6 400 5.2 6.3 10 1 2 −2.0 2.5 200
BZX84C6V2LT1 Z4 5.8 6.2 6.6 10 5.6 6.6 150 5.8 6.8 6 3 4 0.4 3.7 185
BZX84C6V8LT1 Z5 6.4 6.8 7.2 15 6.3 7.2 80 6.4 7.4 6 2 4 1.2 4.5 155
BZX84C7V5LT1 Z6 7 7.5 7.9 15 6.9 7.9 80 7 8 6 1 5 2.5 5.3 140
BZX84C8V2LT1 Z7 7.7 8.2 8.7 15 7.6 8.7 80 7.7 8.8 6 0.7 5 3.2 6.2 135
BZX84C9V1LT1 Z8 8.5 9.1 9.6 15 8.4 9.6 100 8.5 9.7 8 0.5 6 3.8 7.0 130
bzx84c10lt1, g* Z9 9.4 10 10.6 20 9.3 10.6 150 9.4 10.7 10 0.2 7 4.5 8.0 130
bzx84c11lt1, g* Y1 10.4 11 11.6 20 10.2 11.6 150 10.4 11.8 10 0.1 8 5.4 9.0 130
bzx84c12lt1, g* Y2 11.4 12 12.7 25 11.2 12.7 150 11.4 12.9 10 0.1 8 6.0 10.0 130
bzx84c13lt1, g* Y3 12.4 13 14.1 30 12.3 14 170 12.5 14.2 15 0.1 8 7.0 11.0 120
BZX84C15LT1 Y4 14.3 15 15.8 30 13.7 15.5 200 13.9 15.7 20 0.05 10.5 9.2 13.0 110
bzx84c16lt1, g* Y5 15.3 16 17.1 40 15.2 17 200 15.4 17.2 20 0.05 11.2 10.4 14.0 105
BZX84C18LT1 Y6 16.8 18 19.1 45 16.7 19 225 16.9 19.2 20 0.05 12.6 12.4 16.0 100
bzx84c20lt1, g* Y7 18.8 20 21.2 55 18.7 21.1 225 18.9 21.4 20 0.05 14 14.4 18.0 85
bzx84c22lt1, g* Y8 20.8 22 23.3 55 20.7 23.2 250 20.9 23.4 25 0.05 15.4 16.4 20.0 85
BZX84C24LT1 Y9 22.8 24 25.6 70 22.7 25.5 250 22.9 25.7 25 0.05 16.8 18.4 22.0 80
V
Z1
在下
@I
ZT1
=2mA
Z
ZT1
在下
V
Z2
在下
@I
ZT2
= 0.1 m
一个
Z
ZT2
在下
V
Z3
在下
@I
ZT3
=10mA
Z
ZT3
在下
最大值 反转
泄漏
电流
VZ
(mv/k) 在下
@ i
ZT1
= 2 毫安
C (pf)
设备
设备
标记
最小值 Nom 最大值
在下
@ i
ZT1
=
2 毫安
最小值 最大值
在下
@ i
ZT4
=
0.5 毫安
最小值 最大值
在下
@ i
ZT3
=
10 毫安
V
R
(v)
I
R
一个
@
最小值 最大值
c (pf)
@ v
R
= 0
f = 1 mhz
bzx84c27lt1, g* Y10 25.1 27 28.9 80 25 28.9 300 25.2 29.3 45 0.05 18.9 21.4 25.3 70
BZX84C30LT1 Y11 28 30 32 80 27.8 32 300 28.1 32.4 50 0.05 21 24.4 29.4 70
bzx84c33lt1, g* Y12 31 33 35 80 30.8 35 325 31.1 35.4 55 0.05 23.1 27.4 33.4 70
BZX84C36LT1 Y13 34 36 38 90 33.8 38 350 34.1 38.4 60 0.05 25.2 30.4 37.4 70
bzx84c39lt1, g* Y14 37 39 41 130 36.7 41 350 37.1 41.5 70 0.05 27.3 33.4 41.2 45
bzx84c43lt1, g* Y15 40 43 46 150 39.7 46 375 40.1 46.5 80 0.05 30.1 37.6 46.6 40
bzx84c47lt1, g* Y16 44 47 50 170 43.7 50 375 44.1 50.5 90 0.05 32.9 42.0 51.8 40
BZX84C51LT1 Y17 48 51 54 180 47.6 54 400 48.1 54.6 100 0.05 35.7 46.6 57.2 40
bzx84c56lt1, g* Y18 52 56 60 200 51.5 60 425 52.1 60.8 110 0.05 39.2 52.2 63.8 40
BZX84C62LT1 Y19 58 62 66 215 57.4 66 450 58.2 67 120 0.05 43.4 58.8 71.6 35
bzx84c68lt1, g* Y20 64 68 72 240 63.4 72 475 64.2 73.2 130 0.05 47.6 65.6 79.8 35
bzx84c75lt1, g* Y21 70 75 79 255 69.4 79 500 70.3 80.2 140 0.05 52.5 73.4 88.6 35
3. 齐纳 电压 是 量过的 和 一个 脉冲波 测试 电流 i
Z
在 一个 包围的 温度 的 25
°
c.
* 这 “g” 后缀 indicates pb−free 包装 有.
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