2
晶体管
2SB709A
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
0 –12–10–8–2 –6–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25˚C
–250
µ
一个
–200
µ
一个
–150
µ
一个
–100
µ
一个
–50
µ
一个
I
B
=–300
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 –450–150 –300
0
–60
–50
–40
–30
–20
–10
V
CE
=–5V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 –1.8– 0.6 –1.2
0
–400
–300
–100
–250
–350
–200
–50
–150
V
CE
=–5V
Ta=25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
0 –2.0–1.6– 0.4 –1.2– 0.8
0
–240
–200
–160
–120
–80
–40
V
CE
=–5V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
–1 –10 –100 –1000–3 –30 –300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
–1 –10 –100 –1000–3 –30 –300
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
–1 –3 –10 –30 –100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— i
B
I
B
— v
是
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
: 点此下载
