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资料编号:155875
 
资料名称:2SB766A
 
文件大小: 39.5K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SB766A的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
晶体管
2sb766, 2sb766a
0 16040 12080 14020 10060
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
打印 circut 板: 铜
foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和
这 板 厚度 的 1.7mm
为 这 集电级 portion.
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 –10–8–2 –6–4
0
–1.50
–1.25
–1.00
– 0.75
– 0.50
– 0.25
Ta=25˚C
I
B
=–10mA
–1mA
–2mA
–3mA
–4mA
–5mA
–6mA
–7mA
–8mA
–9mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
–25˚C
Ta=75˚C
25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
Ta=–25˚C
75˚C
25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
1 3 10 30 100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
–1 –3 –10 –30 –100
0
50
40
30
20
10
45
35
25
15
5
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
单独的 脉冲波
Ta=25˚C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
2SB766A
2SB766
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
P
C
— ta I
C
— v
CE
V
ce(sat)
— i
C
V
是(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
范围 的 safe 运作 (aso)
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