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资料编号:156461
 
资料名称:2SB857
 
文件大小: 32.67K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Triple Diffused
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sb857, 2sb858
3
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
–2 –4 –6 –8 –10
典型 输出 特性
0
–1
–2
–3
–4
–5
T
C
= 25
°
C
P
c
= 40 w
I
B
= 0
–10 毫安
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–0.01
–0.02
–0.05
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2
–5
根基 至 发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 –1.2 –1.4
典型 转移 特性
V
CE
= –4 v
T
C
= 75
°
C
25
–25
5
10
20
50
100
200
500
1,000
集电级 电流 i
C
(一个)
直流 电流 转移 比率 h
FE
–0.01–0.02 –0.05–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2 –4
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
V
CE
= –4 v
T
C
= 75
°
C
25
–25
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
(v)
–0.01–0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2 –5
集电级 至 发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流
T
C
= 75
°
C
25
–25
I
C
= 10 i
B
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