8 am29lv800b 知道 好的 消逝
SUPPLEMENT
物理的 规格
消逝 维度 . . . . . . . . . . . . . . 147 毫英寸 x 293 毫英寸
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.74 mm x 7.45 mm
消逝 厚度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ~20 毫英寸
bond 垫子 大小 . . . . . . . . . . . . . . 3.94 毫英寸 x 3.94 毫英寸
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100
µ
m x 100
µ
m
垫子 范围 自由 的 passivation . . . . . . . . . .15.52 毫英寸
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000
µ
m
2
焊盘 每 消逝. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44
bond 垫子 metalization . . . . . . . . . . . . . . . . . .al/cu/si
消逝 backside . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 非 metal,
将 是 grounded (optional)
Passivation. . . . . . . . . . . . . . . . . . 渗氮/sog/渗氮
直流 运行 情况
V
CC
(供应 电压) . . . . . . . . . . . . . . . 2.7 v 至 3.6 v
运行 温度
商业的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
°
c 至 +70
°
C
工业的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40
°
c 至 +85
°
C
制造 信息
制造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . FASL
测试 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SDC
制造 id (顶 激励) . . . . . . . . . . . . . 98925AK
(bottom 激励). . . . . . . . .98925abk
preparation 为 运送. . . . . . . . penang, 马来西亚
fabrication 处理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CS39
消逝 修订. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
特定的 处理 说明
处理
做 不 expose kgd 产品 至 ultraviolet 明亮的 或者
处理 它们 在 温度 更好 比 250
°
c.
失败 至 adhere 至 这些 处理 说明 将
结果 在 irreparable 损坏 至 这 设备. 为 最好的
yield, amd 推荐 组装 在 一个 类 10k
clean 房间 和 30% 至 60% 相关的 湿度.
存储
store 在 一个 最大 温度 的 30
°
c 在 一个 nitrogen-
purged cabinet 或者 vacuum-sealed 袋子. 注意到 所有
标准 静电释放 处理 程序.
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