TMS28F010B
131072 用 8-位
flash 记忆
smjs824b – 将 1995 – 修订 8月 1997
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邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
command 寄存器
这 command 寄存器 控制 这 程序 和 擦掉 功能 的 这 tms28f010b. 这 algorithm-选择
模式 能 是 使活动 使用 这 command 寄存器 在 增加 至 这 先前 描述 方法. 当 v
PP
是 高, 这 内容 的 这 command 寄存器 和 这 函数 正在 执行 能 是 changed. 这 command
寄存器 是 写 至 当 e
是 低 和 w 是 搏动 低. 这 地址 是 latched 在 这 leading 边缘 的 这 脉冲波,
当 这 数据 是 latched 在 这 trailing 边缘. 意外的 程序编制 或者 erasure 是 使减少到最低限度 因为 二
commands 必须 是 executed 至 invoke 也 运作. 这 command 寄存器 是 inhibited 当 v
CC
是 在下
这 擦掉/写 lockout 电压, v
LKO
.
电源 供应 仔细考虑
各自 设备 应当 有 一个 0.1-
µ
f 陶瓷的 电容 连接 在 v
CC
和 v
SS
至 压制 电路 噪音.
改变 在 电流 流 在 v
PP
需要 它 至 有 一个 绕过 电容 作 好. 打印-电路 查出 为 两个都
电源 供应 应当 是 适合的 至 handle 这 电流 要求.
command 定义
看 表格 3 为 command 定义.
表格 3. command 定义
COMMAND
必需的
总线
第一 总线 循环 第二 总线 循环
COMMAND
总线
循环
运作
†
地址 数据 运作
†
地址 数据
读 1 写 X 00h 读 RA RD
algorithm-选择 模式 3 写 X 90h 读
0000
0001
89h
B4h
设置-向上-擦掉/擦掉 2 写 X 20h 写 X 20h
擦掉 核实 2 写 EA A0h 读 X EVD
设置-向上-程序/ 程序 2 写 X 40h 写 PA PD
程序 核实 2 写 X C0h 读 X PVD
重置 2 写 X FFh 写 X FFh
†
模式 的 运作 是 定义 在 表格 1.
legend:
EA 地址 的 记忆 location 至 是 读 在 擦掉 核实
RA 地址 的 记忆 location 至 是 读
PA 地址 的 记忆 location 至 是 编写程序. 地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 w
RD 数据 读 从 location ra 在 这 读 运作
EVD 数据 读 从 location ea 在 擦掉 核实
PD 数据 至 是 编写程序 在 location pa. 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 w
PVD 数据 读 从 location pa 在 程序 核实
读 command
记忆 内容 能 是 accessed 当 v
PP
是 高 或者 低. 当 v
PP
是 高, writing 00h 在 这 command
寄存器 invokes 这 读 运作. 当 这 设备 是 powered 向上, 这 default 内容 的 这 command
寄存器 是 00h 和 这 读 运作 是 使能. 这 读 运作 仍然是 使能 直到 一个 不同的 有效的
command 是 写 至 这 command 寄存器.
algorithm-选择 模式 command
这 algorithm-选择 模式 是 使活动 用 writing 90h 在 这 command 寄存器. 这
生产者-相等的 代号 (89h) 是 identified 用 这 值 读 从 地址 location 0000h, 和 这
设备-相等的 代号 (b4h) 是 identified 用 这 值 读 从 地址 location 0001h.
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