BA
ΟΟ
st / ba
ΟΟ
sfp 序列
调整器 ics
(9) when 这 连接 加载 这个 包含 一个 big 电感 组件 在 一个 输出 终端 是 连接 和 这
occurrence 的 一个 反转 electromotive 强迫 能 是 考虑 在 这 时间 的 和 电源-输出 止 在 这 时间 的 开始,
i ask 这 嵌入 的 保护 二极管 的 你.
(例子)
输出
管脚
(10) 虽然 它 是 确信 那 这 例子 的 一个 应用 电路 应当 是 推荐, 在 一个 用法, i 全部地 ask 这
validation 的 一个 所有物 的 你.
在 增加, 当 你 改变 这 电路 常量 和 外部 和 你 变为 一个 用法, 请 看 和 decide sufficient
余裕 在 仔细考虑 的 这 dispersion 在 一个 外部 组件 和 ic 的 我们的 公司 等 不 仅有的 包含 这 静态的
典型的 但是 包含 一个 瞬时 典型的.
这个 ic 是 大而单一的 ic 和 有 p+ 分开 和 p 基质 为 一个 分开 在 各自 元素.
一个 p-n 接合面 是 formed 用 这些 p layers 和 n layers 的 各自 元素, 和 各种各样的 种类 的 parasitic elements 是
formed.为 例子, 当 这 电阻 和 这 晶体管 是 连接 和 这 管脚 像 这 例子 的 一个 简单的
architecture,
•
在 一个 电阻, 它 是 在 这 时间 的 地
>
(管脚 一个), 在 一个 晶体管 (npn), 它 是 在 这 时间 的 地
>
(管脚 b),
一个 p-n 接合面 运作 作 parasitism 二极管.
•
在 一个 晶体管 (npn), 它 是 在 这 时间 的 地
>
(管脚 b),
这 npn 晶体管 的 一个 parasitic 元素 运作 用 n layers 的 其它 elements 这个 approach 和 这 在之上-
提到 parasitism 二极管.
一个 parasitic 元素 是 inevitably 制造 符合 至 一个 潜在的 relation 在 这 architecture 的 ic.
当 一个 parasitic 元素 运作, 这 干扰 的 一个 电路 运作 是 造成 和 这 导致 的 一个 运转, 作 一个
结果 一个 引起破坏 是 得到.
因此, 请 是 全部地 细致的 的 impressing 一个 电压 更小的 比 地(p 基质) 至 一个 输入/输出 终端 等 不
至 carry 输出 用法 和 这个 一个 parasitic 元素 运作.
(管脚 一个)
(管脚 一个)
电阻
p 基质
N
地
地
N
P
N
P
+
P
+
parasitic elements
parasitic elements
(管脚 b)
晶体管 (npn)
p 基质
N
C
B
E
地
N
N
P
N
P
+
P
+
parasitic elements
parasitic elements
地
(管脚 b)
地
C
E
B
其它 approaching
elements
这 例子 的 一个 简单的 architecture 的 双极 ic
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