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资料编号:158618
 
资料名称:BA12001B
 
文件大小: 58.69K
   
说明
 
介绍:
High voltage, high current Darlington transistor array
 
 


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ba12001b / ba12003b / ba12003bf / ba12004b
标准 ics
z
zz
z
应用 例子
RY
(1) 接转 驱动器
LED
(2) led 驱动器
图.5
z
zz
z
应用 注释
这 ba12001b 是 一个 晶体管 排列 这个 能 是 直接地 结合 至 一个 一般 逻辑 电路 此类 作 pmos, cmos, 或者
ttl.
一个 电流 限制的 电阻 needs 至 是 连接 在 序列 和 这 输入.
这 ba12003b / bf 能 是 结合 直接地 至 ttl 或者 cmos 输出 (当 运行 在 5v). 在 顺序 至 限制 这 输入
电流 至 一个 稳固的 值, 电阻器 是 连接 在 序列 至 各自 的 这 输入.
这 ba12004b 是 设计 为 直接 连接 至 cmos 或者 pmos 输出 使用 一个 6 至 15v 电源 供应 电压. 在 顺序
至 限制 这 输入 电流 至 一个 稳固的 值, 电阻器 是 连接 在 序列 至 各自 的 这 输入.
这 加载 为 各自 的 这些 产品 应当 是 连接 在 这 驱动器 输出 和 这 电源 供应. 至 保护 这
ic 从 过度的 摆动 电压, 这 com 管脚 (管脚 9) 应当 是 连接 至 这 电源 供应.
图.6 显示 这 配置 的 这 在-碎片 二极管 为 surge absorption.
在 这 构建 的 这 surge-absorbing 二极管,那里 是 一个 n-p 接合面 在 这 n-layer (n-well + bl) 和 这
基质 (p-sub) 所以 那 当 这 二极管 是 在, 电流 flows 从 这 输出 管脚 至 这 基质. 在 条款 的 这 vertical
构建, 这个 二极管 是 配置 类似的 至 一个 pnp 晶体管. 当 使用 这 surge-absorbing 二极管, 引领 适合的
measures 关于 这 热的 特性 的 这 设计 considering 这 电流 那 将 是 处理.
也, 如果 发动机 后面的-rush 电流 或者 其它 情况 那 将 结果 持续 surge 电流 至 流动 至 这 surge-absorbing
二极管 能 是 foreseen, 我们 strongly 推荐 连接 一个 肖特基 屏障 二极管 (或者 其它 类型 的 二极管 和 一个 低
foward 电压) 在 并行的 和 这 surge-absorbing 二极管 至 construct 一个 绕过 route 为 这 surge 电流.
ISO
P
ISO
P
b / l
IDi
Isub
N
+
P
+
在-流动 电流 至 这 surge-absorbing 二极管
N
+
N
+
输出 COM
p-sub
图.6 vertical 构建 的 这 surge-absorbing 二极管
n-好
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