BAR42FILM bar43/一个/c/sfilm
3/4
0 5 10 15 20 25 30
1e-2
1e-1
1E+0
1E+1
1E+2
vr(v)
ir(
µ
一个)
Tj=50
°
C
Tj=25
°
C
Tj=100
°
C
图. 2:
反转 泄漏 电流 相比 反转
电压 应用 (典型 值).
0 25 50 75 100 125 150
1e-2
1e-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E+4
tj(
°
c)
ir(
µ
一个)
VR=30V
图. 3:
反转 泄漏 电流 相比 接合面
温度.
12 5102030
1
2
5
10
vr(v)
c(pf)
F=1MHz
Tj=25
°
C
图. 4:
接合面 电容 相比 反转
电压 应用 (典型 值).
1e-3 1e-2 1e-1 1E+0 1E+1 1E+2
0.01
0.10
1.00
tp(s)
zth(j-一个)/rth(j-一个)
T
δ
=tp/t
tp
单独的 脉冲波
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图. 5:
相关的 变化 的 热的 阻抗
接合面 至 包围的 相比 脉冲波 持续时间 (环氧的
FR4 和 推荐垫子 布局, e(cu)=35
µ
m).
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
150
200
250
300
350
s(cu) (mm )
rth(j-一个) (
°
c/w)
p=0.25w
图. 6:
热的 阻抗 接合面 至 包围的
相比 铜 表面 下面 各自 含铅的 (环氧的
打印 电路 板 fr4, 铜 厚度:
35
µ
m).
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