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资料编号:160370
 
资料名称:BAS21U
 
文件大小: 453.07K
   
说明
 
介绍:
Silicon Switching Diode
 
 


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jan-30-2003
2
bas21...
热的 阻抗
参数
标识 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
BAS21
bas21-03w
BAS21U
R
thJS
230
105
110
k/w
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
损坏 电压
I
(br)
= 100 µa
V
(br)
250 - - V
反转 电流
V
R
= 200 v
V
R
= 200 v,
T
一个
= 150 °c
I
R
-
-
-
-
0.1
100
µA
向前 电压
I
F
= 100 毫安
I
F
= 200 毫安
V
F
-
-
-
-
1
1.25
V
交流 特性
二极管 电容
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
T
- - 5 pF
反转 恢复 时间
I
F
= 30 毫安,
I
R
= 30 毫安, 量过的 在
I
R
= 3ma,
R
L
= 100
t
rr
- - 50 ns
测试 电路 为 反转 恢复 时间
EHN00018
Oscillograph
Ι
F
d.u.t.
puls 发生器:
t
p
= 1µs,
D
= 0.05
t
r
= 0.6ns,
R
i
= 50
oscillograph:
R
= 50
,
t
r
= 0.35ns,
C
1pF
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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