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BAS16TT1
http://onsemi.com
7
包装 维度
sc–75 (sc–90, sot–416)
情况 463–01
公布 b
DIM 最小值 最大值 最小值 最大值
INCHESMILLIMETERS
一个
0.70 0.80 0.028 0.031
B
1.40 1.80 0.055 0.071
C
0.60 0.90 0.024 0.035
D
0.15 0.30 0.006 0.012
G
1.00 bsc 0.039 bsc
H
––– 0.10 ––– 0.004
J
0.10 0.25 0.004 0.010
K
1.45 1.75 0.057 0.069
L
0.10 0.20 0.004 0.008
S
0.50 bsc 0.020 bsc
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: millimeter.
M
0.20 (0.008) B
–A–
–B–
S
D
G
3 pl
0.20 (0.008) 一个
K
J
L
C
H
3
2
1
样式 1:
管脚 1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
样式 2:
管脚 1. ANODE
2. n/c
3. CATHODE
样式 3:
管脚 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
样式 4:
管脚 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE

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BAS16TT1 http://onsemi.com 7 包装维度 sc–75 (sc–90, sot–416) 情况 463–01 公布 b DIM 最小值最大值最小值最大值 INCHESMILLIMETERS 一个 0.70 0.80 0.028 0.031 B 1.40 1.80 0.055 0.071 C 0.60 0.90 0.024 0.035 D 0.15 0.30 0.006 0.012 G 1.00 bsc 0.039 bsc H ––– 0.10 ––– 0.004 J 0.10 0.25 0.004 0.010 K 1.45 1.75 0.057 0.069 L 0.10 0.20 0.004 0.008 S 0.50 bsc 0.020 bsc 注释: 1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982. 2. controlling 维度: millimeter. M 0.20 (0.008) B –A– –B– S D G 3 pl 0.20 (0.008) 一个 K J L C H 3 2 1 样式 1: 管脚 1. 根基 2. 发射级 3. 集电级样式 2: 管脚 1. ANODE 2. n/c 3. CATHODE 样式 3: 管脚 1. ANODE 2. ANODE 3. CATHODE 样式 4: 管脚 1. CATHODE 2. CATHODE 3. ANODE

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