包装 信息
可订购 设备 状态
(1)
包装
类型
包装
绘画
管脚 包装
Qty
Eco 计划
(2)
含铅的/球 完成 MSL 顶峰 温度
(3)
5962-8995401ea 起作用的 CDIP J 16 1 TBD Call 德州仪器 水平的-nc-nc-nc
CD54HC4520F 起作用的 CDIP J 16 1 TBD Call 德州仪器 水平的-nc-nc-nc
CD54HC4520F3A 起作用的 CDIP J 16 1 TBD Call 德州仪器 水平的-nc-nc-nc
CD74HC4518E 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HC4518EE4 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HC4520E 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HC4520EE4 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HC4520M 起作用的 SOIC D 16 40 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HC4520M96 起作用的 SOIC D 16 2500 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HC4520M96E4 起作用的 SOIC D 16 2500 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HC4520ME4 起作用的 SOIC D 16 40 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HC4520MT 起作用的 SOIC D 16 250 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HC4520MTE4 起作用的 SOIC D 16 250 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520E 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HCT4520EE4 起作用的 PDIP N 16 25 铅-自由
(rohs)
CU 镍钯金 水平的-nc-nc-nc
CD74HCT4520M 起作用的 SOIC D 16 40 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520M96 起作用的 SOIC D 16 2500 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520M96E4 起作用的 SOIC D 16 2500 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520ME4 起作用的 SOIC D 16 40 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520MT 起作用的 SOIC D 16 250 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
CD74HCT4520MTE4 起作用的 SOIC D 16 250 绿色 (rohs &放大;
非 sb/br)
CU 镍钯金 水平的-1-260c-unlim
(1)
这 营销 状态 值 是 定义 作 跟随:
起作用的:
产品 设备 推荐 为 新 设计.
存在期购买:
德州仪器 有 宣布 那 这 设备 将 是 停止, 和 一个 存在期-买 时期 是 在 效应.
不推荐新设计:
不 推荐 为 新 设计. 设备 是 在 生产 至 支持 存在 客户, 但是 德州仪器 做 不 推荐 使用 这个 部分 在
一个 新 设计.
预告(展):
设备 有 被 宣布 但是 是 不 在 生产. 样本 将 或者 将 不 是 有.
废弃的:
德州仪器 有 停止 这 生产 的 这 设备.
(2)
Eco 计划 - 这 planned eco-friendly 分类: 铅-自由 (rohs) 或者 绿色 (rohs &放大; 非 sb/br) - 请 审查
http://www.德州仪器.com/productcontent 为 这 最新的 有效性 信息 和 额外的 产品 内容 详细信息.
tbd:
这 铅-自由/绿色 转换 计划 有 不 被 定义.
包装 选项 补遗
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26-sep-2005
补遗-页 1