分离的 电源 和 信号
科技
SYM 特性 最小值 最大值 单位 测试 情况
BV 损坏 电压 250 V IR= 100 ua
IR 反转 电流 (单独的 设备) 100 nA VR= 200 v
100 uA VR= 200 v T一个= +150 deg c
反转 电流 (序列 连接) 100 nA VR= 400 v
100 uA VR= 400 v T一个= +150 deg c
VF 向前 电压 (单独的 设备) 1.00 V IF= 100 毫安
1.25 V IF= 200 毫安
向前 电压 (序列 连接) 2.00 V IF= 100 毫安
2.50 V IF= 200 毫安
TRR 反转 恢复 时间 50 nS IF= iR= 30 毫安
IRR= 3.0 毫安 RL= 100 ohms
温度
存储 温度 150 degrees c
运行 接合面 温度 150 degrees c
电源 消耗
(注释 2 &放大; 3)
总的 设备 消耗 在 ta = 25 deg c 350 mw
减额 因素 每 程度 c 2.8 mw
电压 &放大; 电流
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压 250 v
(单独的 设备)
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压 500 v
(序列 连接)
V
RWM
持续的 顶峰 反转 电压 200 v
(单独的 设备)
V
RWM
持续的 顶峰 反转 电压 400 v
(序列 连接)
IO 平均 调整的 电流 200 毫安
如果 直流 向前 电流 400 毫安
如果 recurrent 顶峰 向前 电流 700 毫安
如果 (surge) 顶峰 向前 surge 电流
脉冲波 宽度 = 1.0 microsec 9.0 一个
脉冲波 宽度 = 100 microsec 3.0 一个
脉冲波 宽度 = 10 millisec 1.7 一个
电的 特性
(25 degrees c 包围的 温度 除非 否则 陈述)
PD. . . .
350 mw @ t一个= 25 deg c
BV. . . .
250 v (m在) @ iR= 100 ua
TRR. . .
50 ns @ iF=IR= 30 毫安 iRR= 3.0 毫安
绝对 最大 比率
(便条 1)
3
21
连接 dIAGRAMS
L30
包装
至-236ab (低)
(sot-23)
3
1 2
注释:
1. 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
2. 这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
3. 这些 比率 给 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c 和 接合面-至-包围的 热的 阻抗 的 357 degrees c
每 watt. (减额 因素 的 2.8 毫瓦 每 程度 c)
BAV23S
高 电压 一般 目的 二极管
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