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资料编号:161205
 
资料名称:BAV70
 
文件大小: 100.56K
   
说明
 
介绍:
Dual Series Switching Diode - Silicon epitaxial planar type
 
 


: 点此下载
  浏览型号BAV70的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
比率 在
标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压
在 i
F
= 1 毫安
在 i
F
= 10 毫安
在 i
F
= 50 毫安
在 i
F
= 150 毫安
V
F
V
F
V
F
V
F
0.715
0.855
1.0
1.25
V
V
V
V
泄漏 电流
在 v
R
= 70 v
在 v
R
= 70 v, t
j
= 150 °c
在 v
R
= 25 v, t
j
= 150 °c
I
R
I
R
I
R
2.5
100
30
µ
一个
µ
一个
µ
一个
电容
在 v
F
= v
R
= 0, f = 1 mhz
C
tot
––1.5pf
反转 恢复 时间
从 i
F
= 10 毫安 至 i
R
= 10 毫安
量过的 在 i
R
= 1 毫安, r
L
= 100
t
rr
––6ns
热的 阻抗
Juncti在 至 包围的 空气
R
thJA
430
1)
k/w
1)
设备 在 fiberglass 基质, 看 布局
布局 为 r
thJA
测试
厚度: fiberglass 0.059 在 (1.5 mm)
铜 leads 0.012 在 (0.3 mm)
.59 (15)
0.2 (5)
.03 (0.8)
.30 (7.5)
.12 (3)
.04 (1)
.06 (1.5)
.20 (5.1)
.08 (2)
.08 (2)
.04 (1)
维度 在 英寸 (毫米)
.47 (12)
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