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资料编号:161206
 
资料名称:BAV70W
 
文件大小: 100.59K
   
说明
 
介绍:
Dual Series Switching Diode - Silicon epitaxial planar type
 
 


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三月-10-2004
2
bav70...
最大 比率
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
二极管 反转 电压
V
R
80 V
顶峰 反转 电压
V
RM
85
向前 电流
I
F
200 毫安
非-repetitive 顶峰 surge 向前 电流
t
= 1 µs
t
= 1 ms
t
= 1 s 单独的
t
= 1 s 翻倍
I
FSM
4.5
1
0.5
0.75
一个
总的 电源 消耗
bav70,
T
S
33°C
bav70f,
T
S
tbd
bav70l3,
T
S
tbd
bav70s,
T
S
85°C
bav70t,
T
S
73°C
bav70u,
T
S
90°C
bav70w,
T
S
103°C
P
tot
250
250
250
250
250
250
250
mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
参数
标识 单位
接合面 - 焊接 要点
1)
BAV70
BAV70F
BAV70L3
BAV70S
BAV70T
BAV70U
BAV70W
R
thJS
460
tbd
tbd
260
310
240
190
k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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